[发明专利]一种独蒜兰全苗培养方法

说明书

本发明公开了一种独蒜兰全苗培养方法，具体操作为：将野外独蒜兰群落分割成种植块，然后将种植块种植到挂墙板上的V形凹槽内，V形凹槽中平铺有栽培基质，栽培基质用野外独蒜兰生长区域的土壤、越西草炭土和食用菌菌渣按1:1:1的体积比均匀混合，再与复合肥混匀后制得。种植块栽种好后，控制栽培基质表面湿度在80％～95％范围内，并控制光照强度在25000～30000lx范围内，以便于苔藓的生长。从五月份开始，采用人工方式控制独蒜兰和苔藓植物的长势，使它们互利共生，避免相互竞争而影响对方的生长，双方的成活率均大幅度提高。采用本发明的培养方法，可有效解决独蒜兰植株成活率不高的问题。

技术领域

本发明属于植物栽培技术领域，具体涉及一种独蒜兰全苗培养方法。

背景技术

独蒜兰(Pleione bulbocodioides)又名一叶兰，兰科独蒜兰属植物。独蒜兰多生长于腐殖质多的岩缘或溪涧流域内苔藓覆盖的岩石壁上，海拔1800～2500米，主要分布在四川西南部和云南西北部。四川独蒜兰野生环境调查表明：岩生环境生长的独蒜兰，岩石石壁坡度较大，有的坡度接近垂直，岩石面的土层较薄，伴生的群落植物主要是一部分低矮的苔藓类，少有植株体量略高的蕨类和沙草类，但在蕨类和沙草株丛根颈的周围，几乎没有独蒜兰的植株生长，即使偶尔有，长势也非常弱，体现出即将在群落中消亡的状态。

现有技术中公开的独蒜兰培育方法，往往只是注重独蒜兰植株的培育，而忽略了对与独蒜兰处于伴生状态的苔藓的培养，因此会造成独蒜兰植株成活率不高的问题。

发明内容

针对上述现有技术，本发明提供一种独蒜兰全苗培养方法，以解决独蒜兰植株成活率低的技术问题。

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：提供一种独蒜兰全苗培养方法，包括以下步骤：

(1)制作壁挂墙：取方形泡沫板，在其板面上嵌合若干塑料板，形成V形沟槽，然后将泡沫板倾斜固定到支架上；

(2)制作培养基质：取野外独蒜兰生长区域的苔藓与土壤，捣碎，然后与越西草炭土和食用菌菌渣按1:1:1的体积比均匀混合，再将混合物与复合肥按照500～1250:1的质量比混匀，得培养基质；将培养基质平铺到壁挂墙上的V形沟槽中，培养基质的厚度为1～1.5cm；

(3)植株采集与栽植：在3月上中旬，将分布有独蒜兰的岩石群落分割成2～2.5cm的带土群落块，然后将群落块按3～4cm一块的栽种密度栽植到挂墙上的V形沟槽中，每条沟槽中栽植一行；

(4)苔藓培养：植株栽植好后，浇定根水，使培养基质处于湿润状态；此后，每隔4～5天向培养基质表面喷淋一次补湿水，使培养基质表层湿度保持在80～95％的范围内，此操作一直持续到9月；在此过程中控制光照强度为25000lx～30000lx；

(5)群落管理：从五月上旬开始，每隔5～7天单独对独蒜兰叶片喷施一次赤霉素溶液，喷施2～3次，同时单独向花冠喷施硼肥溶液，喷施2次；进入六月后，隔周对独蒜兰叶片喷施一次烯效唑溶液，总共喷施2～3次；从五月到七月，每个月对苔藓喷施2～3次多效唑PP333溶液，以控制苔藓高度在1.5cm以下；在五至六月份，每周向群落喷淋一次叶面肥溶液，进入九月后，再对群落喷淋叶面肥溶液2～3次。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，泡沫板宽1.5m，高1.8m，厚5～8cm；塑料板长1.5m，宽2～3cm，其横向嵌合在所述泡沫板上，塑料板之间的距离为5～6cm；泡沫板与地面之间的夹角为70～80°。

进一步，食用菌菌渣为香菇菌渣，其包括以下重量份的组分：粗蛋白6.5～8.5份，粗纤维21～28份，粗脂肪1.5～2.5份，糖分2～10份，灰分8～15份，水分50～53份。

进一步，步骤(2)中复合肥选自过磷酸钙、钙镁磷肥或硫酸钾中的一种或几种。