[发明专利]一种晶体生长炉用保温装置在审
| 申请号： | 201711386301.2 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108130593A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 高攀;孔海宽;忻隽;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体生长炉 石墨毡 保温装置 石墨碳毡 石墨纸 纵轴方向 顶盖 晶体的 包覆 卷绕 碳毡 延伸 覆盖 | ||
1.一种晶体生长炉用保温装置，其特征在于，所述保温装置包括卷绕包覆在晶体生长炉外的位于内侧的至少一层第一石墨碳毡和位于外侧的至少一层第二墨碳毡，以及夹所述第一石墨毡和第二石墨毡之间的至少一层石墨纸，沿所述晶体生长炉的纵轴方向，所述第二石墨毡的高度覆盖整个晶体的高度，所述至少一层石墨纸的高度从所述第二石墨碳毡的顶部延伸至晶体生长炉的顶盖下方10～20 mm处，所述第一石墨碳毡的高度大于等于所述至少一层石墨纸的高度，且小于等于所述第二石墨毡的高度。
2.根据权利要求1所述的晶体生长炉用保温装置，其特征在于，所述石墨纸的纯度高于99.9%，厚度为0.2～4 mm，优选1～2 mm。
3.根据权利要求1或2所述的晶体生长炉用保温装置，其特征在于，所述第一石墨碳毡的层数为一层或两层，所述第二石墨碳毡的层数为两层以上。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的晶体生长炉用保温装置，其特征在于，所述第一石墨碳毡和/或第二石墨碳毡包括石墨软碳毡和/或石墨硬碳毡。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体生长炉用保温装置，其特征在于，所述单层第一石墨碳毡和/或单层第二石墨碳毡的厚度为5～20 mm。
6.一种晶体生长炉，其特征在于，包括发热线圈、发热体，以及设置在所述发热线圈和发热体之间的如权利要求1-5中任一项所述的保温装置。
7.根据权利要求6所述的晶体生长炉，其特征在于，所述第一石墨碳毡和第二石墨碳毡总厚度小于发热线圈的内侧半径与发热体半径的差再减去5 mm的数值。
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