[发明专利]反型QLED器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供气态的置换配体和沉积有量子点预制薄膜的阴极，其中，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体，所述置换配体为至少含有两个活性官能团的有机配体；提供衬底，在所述衬底上制备阴极；将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜；在所述量子点发光层上制备空穴功能层；在所述空穴功能层上制备阳极。

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种反型QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)，是一种新型的发光器件，其采用量子点材料(Quantum dots,QDs)作为发光层，相比其他发光材料具有难以比拟的优势，如可控的小尺寸效应、超高的内量子效率、优异的色纯度等，在未来显示技术领域具有巨大的应用前景。

一般情况下，量子点表面会通过螯合等方式连接有机配体或者通过形成化学键等方式连接无机配体。量子点的表面配体在量子点合成中起到至关重要的作用，一方面，表面配体能钝化量子点表面的缺陷，提高量子点的发光性能；另一方面，表面配体能够减少量子点之间团聚，并增加量子点在溶剂中的分散能力。在量子点发光二极管器件中，表面配体会进一步影响器件的光电学性能，因此合理选择量子点膜中的量子点表面的配体是提高量子点薄膜及量子点发光二极管发光效率的重要步骤。

对于目前主流的反型QLED器件(正负极位置对换，在衬底上依次是阴极、电子传输材料、量子点发光层、空穴传输材料、空穴注入材料和阳极)，由于在量子点发光层上面通过溶液法制备空穴传输层和空穴注入层时，所用溶剂可能重新溶解带走或直接冲走量子点发光层中的量子点，破坏量子点层，从而影响量子点发光层的成膜均匀性和界面性能，进而影响反型QLED器件发光均匀性，特别是对于印刷技术制备的量子点发光层。即便采用难溶解量子点的溶剂，也难以避免该过程的发生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种反型QLED器件及其制备方法，旨在解决现有的反型QLED器件的制备过程中，空穴传输层和空穴注入层的溶剂破坏量子点层，从而影响量子点发光层的成膜均匀性和界面性能的问题。

本发明是这样实现的，一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供气态的置换配体和沉积有量子点预制薄膜的阴极，其中，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体，所述置换配体为至少含有两个活性官能团的有机配体；

将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜；

在所述量子点发光层上制备空穴功能层；

在所述空穴功能层上制备阳极。

以及，一种反型QLED器件，包括层叠结合的阴极、量子点发光层、空穴功能层和阳极，其中，所述量子点发光层由交联量子点组成，所述交联量子点包括量子点和与所述量子点交联的置换配体，其中，所述置换配体至少含有两个活性官能团，所述置换配体和所述量子点通过所述活性官能团交联，且所述反型QLED器件由上述方法制备获得。

以及，一种显示屏，包括上述的反型QLED器件。