[发明专利]一种宇航级片剂五氧化二钒的制备方法在审
申请号: | 201711348672.1 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108085517A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 卢明亮;柳朝阳;王文山;刘超;宋波;马英梁 | 申请(专利权)人: | 河钢股份有限公司承德分公司 |
主分类号: | C22B34/22 | 分类号: | C22B34/22;C22B7/04;C22B1/02;C01G31/02 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 林艳艳 |
地址: | 067000 河北省承*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 五氧化二钒 宇航 制备 过滤 熔化 高分子絮凝剂 氧化钠化焙烧 冷却铸片 沉淀剂 强酸性 弱酸性 除铁 除杂 钒渣 加水 浸出 铝法 煅烧 加热 去除 | ||
1.一种宇航级片剂五氧化二钒的制备方法,其特征在于:所述制备方法至少包括以下步骤:
步骤1、钒渣经过钠化焙烧后加热水浸出,过滤,加碱调节pH至11~12,除铁,得到粗制钒液;
步骤2、向粗制钒液中加酸调节pH至5~6,先后用除杂剂和高分子絮凝剂除杂,得到净化钒液;
步骤3、向净化钒液中加酸调节pH至1.9~2.1,加热并加入沉淀剂进行结晶沉淀,过滤、水洗、干燥,得到多钒酸铵;
步骤4、煅烧,制得五氧化二钒;
步骤5、熔化,冷却制片,得到产品。
2.根据权利要求1所述的宇航级片剂五氧化二钒的制备方法,其特征在于,所述步骤1中所述加碱为加入氢氧化钠;和/或
所述步骤2中所述加酸为加入硫酸;和/或
所述步骤3中所述加酸为加入硫酸。
3.根据权利要求1所述的宇航级片剂五氧化二钒的制备方法,其特征在于,所述步骤2中所述除杂剂为硫酸铝,其定量加入标准为:
当溶液中Si含量>600mg/L时,硫酸铝的质量为Si质量的1.0~1.05倍;
当溶液中Si含量为500-600mg/L时,硫酸铝的质量为Si质量的1.0~1.03倍;
当溶液中Si含量<500mg/l以下,硫酸铝的质量为Si质量的1.0倍。
4.根据权利要求1所述的宇航级片剂五氧化二钒的制备方法,其特征在于,所述步骤3中所述沉淀剂为硫酸铵或氯化铵,且加入所述沉淀剂后的净化钒液中V
5.根据权利要求1所述的宇航级片剂五氧化二钒的制备方法,其特征在于,所述步骤2中所述高分子絮凝剂为阳离子聚丙烯酰胺、阴离子聚丙烯酰胺、两性聚丙烯酰胺、聚丙环氧氯丙烷-二甲铵中的至少一种;和/或
所述步骤2中所述高分子絮凝剂加入后的质量浓度范围为0.50‰–5.00‰。
6.根据权利要求1所述的宇航级片剂五氧化二钒的制备方法,其特征在于,所述步骤5中所述熔化在快速熔化炉中进行,所述快速熔化炉采用水冷炉底、拱形炉顶,加热方式为多点短距平焰加热,熔化温度范围750~850℃。
7.根据权利要求1所述的宇航级片剂五氧化二钒的制备方法,其特征在于:所述步骤1中所述钠化焙烧采取一次焙烧方式,温度为850~1050℃,时间为3~5h,焙烧过程添加钠盐;和/或
所述步骤4中所述煅烧为静态煅烧或动态连续煅烧,温度为350~600℃,时间3.5~5.5h,煅烧过程氧化剂补充介质为氧气或者空压风;和/或
所述步骤1中所述热水的温度为50~80℃;和/或
所述步骤3中所述加热为煮沸。
8.根据权利要求1所述的宇航级片剂五氧化二钒的制备方法,其特征在于,所述步骤1中所述除铁为静置沉淀后溢流、过滤。
9.根据权利要求1~8任一项所述的宇航级片剂五氧化二钒的制备方法,其特征在于:所述步骤3中所述水洗为3~5次逆流水洗;和/或
所述步骤3中所述干燥为密闭干燥,干燥方式包括气流干燥、闪蒸干燥、盘式干燥、带式干燥,热源交换采用循环热风,干燥温度为200~250℃。
10.根据权利要求1~8任一项所述的宇航级片剂五氧化二钒的制备方法,其特征在于,所述步骤1中所述热水的用量为使V
所述步骤2中所述净化钒液中控制铝离子含量<40mg/L,磷离子含量<10mg/L,硅离子含量<200mg/L,钙离子含量<20mg/L,铁离子含量<50mg/L。
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