[发明专利]电压可变衰减器、集成电路和衰减方法在审
申请号: | 201711343320.7 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108233892A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | A·M·A·欧斯曼;M·M·R·艾斯梅尔 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H03H11/24 | 分类号: | H03H11/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衰减 匹配网络 电压可变衰减器 电阻元件 电阻 集成电路 场效应晶体管 控制电压 输出阻抗 输出耦合 可控 期望 | ||
本公开涉及电压可变衰减器、集成电路和衰减方法。本公开提供具有可控匹配网络的电压可变衰减器(VVA)。VVA的衰减部分的输出耦合匹配网络。匹配网络包括电阻元件,它可以是场效应晶体管(FET),其电阻可以作为衰减的函数来控制。特别地,用于控制VVA的衰减部分的电阻的控制电压也被用于控制匹配网络的电阻元件。以这种方式,VVA的输出阻抗可以保持在期望的水平。
技术领域
本发明的实施方案涉及电子电路,更特别地涉及具有可控匹配网络的电压可变衰减器。
背景技术
电压可变衰减器(VVA)可以在射频(RF)应用中使用,从而为信号提供可控的衰减量。输出信号功率电平与输入信号功率电平的衰减量或比率可通过模拟衰减控制信号(例如衰减控制电压)来调整。
发明内容
本公开提供具有可控匹配网络的电压可变衰减器(VVA)。VVA的衰减部分的输出耦合匹配网络。匹配网络包括电阻元件,它可以是场效应晶体管(FET),其电阻可以作为衰减的函数来控制。特别地,用于控制VVA的衰减部分的电阻的控制电压也被用于控制匹配网络的电阻元件。以这种方式,VVA的输出阻抗可以保持在期望的水平。
在第一方面,本公开提供电压可变衰减器,包括:衰减网络,具有至少一个串联臂和耦合到所述至少一个串联臂的至少一个分路臂,其中所述至少一个分路臂的电阻可以是可控的,以便改变衰减器的衰减,还包括:耦合所述衰减网络的匹配网络,其中所述匹配网络包括至少一个其值可控以改变所述电压可变衰减器的输出阻抗的元件。
在第二方面,本公开提供集成电路,包括第一方面的电压可变衰减器。
在第三方面,本公开提供集成电路,包括:输入端口;耦合输入端口的电压可变衰减器;耦合电压可变衰减器份可控匹配网络;和耦合可控匹配网络的输出端口。
在第四方面,本公开提供一种信号衰减的方法,该方法包括:通过电压可变衰减器沿信号路径传播射频(RF)信号;使用所述电压可变衰减器来衰减RF信号,其中衰减量由一个或多个控制电压控制;通过匹配网络输出RF信号,其中匹配网络的输出阻抗由一个或多个控制电压控制。
附图说明
现在将仅以举例的方式并参照附图来描述本公开。
图1是依照第一实施方案示出电压可变衰减器的示意图。
图2是示出第一实施方案的电压可变衰减器的电路图。
图3是图2的电压可变衰减器的电路模型。
图4是示出包括图2的电压可变衰减器的电路和不具有匹配网络的电压可变衰减器的插入损耗针对频率的图。
图5是示出包括图2的电压可变衰减器的电路和不具有匹配网络的电压可变衰减器的最大衰减时的输出回波损耗针对频率的图。
图6是示出包括图2的电压可变衰减器的电路和不具有匹配网络的电压可变衰减器的最小衰减时的输出回波损耗针对频率的图。
图7是示出包括图2的电压可变衰减器的电路和不具有匹配网络的电压可变衰减器的范围针对频率的图。
图8是示出依照第二实施方案的电压可变衰减器的电路图。
图9是示出依照第三实施方案的电压可变衰减器的电路图。
具体实施方式
某些实施例的以下详细描述呈现了本发明的具体实施例的各种描述。然而,本发明可以以权利要求所限定和涵盖的多种不同方式来实施。在本说明书中,参考了附图,其中相同的附图标记可以指示相同或功能类似的元件。应该理解,图中所示的元件不一定按比例绘制。此外,将理解,某些实施例可以包括比图中所示的元件和/或附图中所示的元件的子集中所示的元件更多的元件。此外,一些实施例可以结合来自两个或更多个附图的特征的任何合适的组合。
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