[发明专利]一种检测土霉素的印记传感器的制备方法

权利要求书

1.一种检测土霉素的印记传感器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：

将壳聚糖溶解于冰醋酸中，磁力搅拌，得壳聚糖溶液，将碳纳米管、质量分数为80%的硫酸溶液和质量分数为85%的硝酸溶液混合均匀，得混合溶液，将混合溶液超声振荡，得超声振荡的混合溶液，将超声振荡的混合溶液加入蒸馏水混合，离心，取上清液，将壳聚糖溶液和上清液混合，超声振荡，得壳聚糖-碳纳米管复合溶液；

将氯金酸溶液与蒸馏水混合均匀，煮沸，得煮沸氯金酸混合溶液，将柠檬酸钠加入氯金酸溶液中，得纳米金粒子溶液；

在预处理的金电极上按10~15μL/g的涂抹量涂抹一层壳聚糖-碳纳米管复合溶液，23~26℃干燥，再按10~15μL/g的涂抹量涂抹一层壳聚糖-碳纳米管复合溶液，反复涂抹5~6层，得壳聚糖-碳纳米管修饰金电极，在壳聚糖-碳纳米管修饰金电极上按10~13μL/g的涂抹量涂抹一层纳米金粒子溶液，20~25℃干燥，得壳聚糖-碳纳米管/纳米金粒子/金电极；

取土霉素和邻苯二胺加入到醋酸缓冲溶液中，磁力搅拌，超声振荡，得混合溶液，将壳聚糖-碳纳米管/纳米金粒子/金电极浸没到混合溶液中进行电聚合，得电聚合后电极，将电聚合后电极在室温晾干，用质量分数为1% HNO₃溶液冲洗电极，得检测土霉素的印迹传感器。

2.根据权利要求1所述的检测土霉素的印记传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中壳聚糖与冰醋酸的质量比为1：50；碳纳米管、质量分数为80%的硫酸溶液和质量分数为85%的硝酸溶液的质量比为1：30：10；超声振荡的混合溶液与蒸馏水的体积比为1：9；壳聚糖溶液和上清液的体积比为1：1。

3.根据权利要求1所述的检测土霉素的印记传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中氯金酸溶液与蒸馏水的体积比为1：50；柠檬酸钠与氯金酸溶液

的质量比为2：9。

4.根据权利要求1所述的检测土霉素的印记传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中金电极的预处理：用 0.03~0.05μm 的氧化铝粉对金电极进行抛光处理，将乙醇与蒸馏水按体积比1：5混合均匀，得乙醇溶液，将抛光后的金电极置于乙醇溶液中超声振荡20min，取出金电极用蒸馏水冲洗后20~25℃干燥，得预处理的金电极。

5.根据权利要求1所述的检测土霉素的印记传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中在预处理的金电极上涂抹的壳聚糖-碳纳米管复合溶液的量为10~15μL/g；在壳聚糖-碳纳米管修饰金电极上涂抹纳米金粒子的量为10~13μL/g。

6.根据权利要求1所述的检测土霉素的印记传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中土霉素和、邻苯二胺、醋酸缓冲溶液的质量比为2：1：30；电聚合条件为扫描电压为0.2～0.8 V，扫描圈数为25~30圈，扫描速率为50 mV/s。