[发明专利]一种基于聚碳酸酯模板法制备图形化钴纳米线阵列的方法

权利要求书

1.一种基于聚碳酸酯模板法制备图形化钴纳米线阵列的方法，包括下列步骤：

(1)准备紫铜片和多孔聚碳酸酯模板；

(2)工作电极的制备：将适量的武德合金加热熔化后，在紫铜片上涂覆均匀，然后将多孔聚碳酸酯模板覆于武德合金上表面；利用环氧树脂胶涂覆紫铜片背面及侧面，保证钴离子只能在多孔聚碳酸酯模板孔洞中沉积；取一根导线，一端连接紫铜片背面，另一端连接电极夹,制得工作电极；

(3)涂覆光刻胶：在多孔聚碳酸酯模板上表面涂覆适量光刻胶，将所述多孔聚碳酸酯模板置于匀胶机中，使其均匀涂覆光刻胶；

(4)曝光与显影：利用紫外光透过掩膜版照射已经涂覆光刻胶的多孔聚碳酸酯模板，照射过的光刻胶发生光化学反应，性质发生了变化，显影时会和显影液发生化学反应并去除；而被光刻版挡住的部分，未发生任何变化，显影时不和显影液发生反应被保留,这样光刻版的图形通过显影就能将图形留在多孔聚碳酸酯模板上；

(5)配制酸性电解液：电解液包括：CoSO4 7H2O与H3BO3，摩尔浓度范围分别为0.60-0.66M/L和0.62-0.68M/L，并将pH值调节到2.5-3.5；

(6)多孔聚碳酸酯模板的孔洞润湿：将图形化的多孔聚碳酸酯模板置于电解液中，使所述电解液中的钴离子进入多孔聚碳酸酯模板孔洞之中；

(7)钴纳米线及钴基底的制备：将铂片对电极和工作电极置于电解液中，两电极连接至电源，通过监测沉积电流的变化情况得知钴纳米线的沉积情况，当钴纳米线已经溢出多孔聚碳酸酯模板孔洞开始沉积时停止沉积；

(8)洗除光刻胶：利用丙酮洗除未曝光的光刻胶，之后用去离子水清洗图形化的多孔聚碳酸酯模板表面。

(9)洗除聚碳酸酯模板：利用二氯甲烷洗除聚碳酸酯模板，即可得到图形化的纳米线阵列。