[发明专利]一种铝锂合金及锻造方法有效
申请号: | 201711284304.5 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108004445B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 冯朝辉;王胜强;何维维;陆政 | 申请(专利权)人: | 中国航发北京航空材料研究院 |
主分类号: | C22C21/18 | 分类号: | C22C21/18;C22F1/057 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 梁瑞林 |
地址: | 100095 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 合金 锻造 方法 | ||
本发明属于金属材料工程领域,涉及一种铝锂合金材料及其锻造方法。合金成分的质量分数为Cu:3%~4.2%;Mg 0.2%~1.4%;Li:0.6%~1.5%;Ag:0~1%;Zr:0.06%~0.15%;Mn:0.2%~0.6%;Zn:0~0.8%;Si≤0.08%;Fe≤0.10%;其它杂质单个≤0.05%;其它杂质总量≤0.15%,余量为Al。锻造的步骤如下:均匀化处理;锻造。本发明提出了一种铝锂合金材料及其锻造方法,能避免临界饱和合金元素会产生大量晶界沉淀相,造成大量原始晶界残留,提高了高向延伸率,满足了制造40mm以上大厚规格制件的要求。
技术领域
本发明属于金属材料工程领域,涉及一种铝锂合金材料及其锻造方法。
背景技术
铝锂合金由于锂元素的加入,获得了低密度、高模量特性,在航空航天、核工业、交通运输、体育用品、兵器等领域具有广阔的应用前景。近年来,随着铝冶金装备技术及冶金学基础技术水平的提高,铝合金的发展趋势为高纯净、高性能及高合金化。500MPa级铝锂合金已经在先进战机,大型客机及宇航运载装备上成熟应用。目前的铝锂合金中合金元素的加入量接近或超过铝固溶体的高温临界饱和固溶度。临界饱和合金元素会产生大量晶界沉淀相,这些相在塑性成型过程中具有“钉扎”作用,从而出现大量原始晶界残留,导致高向延伸率较低,不适于制造40mm以上大厚规格制件。
发明内容
本发明的目的是:提出一种铝锂合金材料及其锻造方法,以便避免临界饱和合金元素会产生大量晶界沉淀相,造成大量原始晶界残留,提高高向延伸率,满足制造40mm以上大厚规格制件的要求。
本发明的技术方案是:一种铝锂合金,其特征在于:其合金成分的质量分数为Cu:3%~4.2%;Mg 0.2%~1.4%;Li:0.6%~1.5%;Ag:0~1%;Zr:0.06%~0.15%;Mn:0.2%~0.6%;Zn:0~0.8%;Si≤0.08%;Fe≤0.10%;其它杂质单个≤0.05%;其它杂质总量≤0.15%,余量为Al。
如上面所述的铝锂合金的锻造方法,其特征在于,锻造的步骤如下:
1、均匀化处理:将毛坯加热到420℃~430℃,保温时间为2h~8h;继续升温到480℃~500℃,保温时间36小时以上;随炉冷却到200℃,空冷到室温;
2、锻造:采用“高温-低温交替锻造”方法进行锻造,分三步进行:
2.1、铸锭锻造开坯,始锻温度不低于380℃,终锻温度不低于350℃,锻比不低于3;
2.2、低温锻造:始锻温度不高于340℃,锻比不低于2.5;
2.3、高温锻造,始锻温度不低于380℃,终锻温度不低于380℃,锻比不低于4。
本发明的优点是:提出了一种铝锂合金材料及其锻造方法,能避免临界饱和合金元素会产生大量晶界沉淀相,造成大量原始晶界残留,提高了高向延伸率,满足了制造40mm以上大厚规格制件的要求。
具体实施方式
下面对本发明做进一步详细说明。一种铝锂合金,其特征在于:其合金成分的质量分数为Cu:3%~4.2%;Mg 0.2%~1.4%;Li:0.6%~1.5%;Ag:0~1%;Zr:0.06%~0.15%;Mn:0.2%~0.6%;Zn:0~0.8%;Si≤0.08%;Fe≤0.10%;其它杂质单个≤0.05%;其它杂质总量≤0.15%,余量为Al。
如上面所述的铝锂合金的锻造方法,其特征在于,锻造的步骤如下:
1、均匀化处理:将毛坯加热到420℃~430℃,保温时间为2h~8h;继续升温到480℃~500℃,保温时间36小时以上;随炉冷却到200℃,空冷到室温;
2、锻造:采用“高温-低温交替锻造”方法进行锻造,分三步进行:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航发北京航空材料研究院,未经中国航发北京航空材料研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711284304.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。