[发明专利]清洁方法

说明书

本发明提供一种能够缩短清洁时间并进行均匀性高的清洁的清洁方法。一个实施方式的清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，在处理室内在使上表面能够载置基板的旋转台在第一清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给清洁气体；以及第二清洁工序，在使所述旋转台在比所述第一清洁位置靠下方的第二清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。

技术领域

本发明涉及一种清洁方法。

背景技术

在半导体装置等的制造中所使用的成膜装置中，不仅在基板的上表面堆积膜，在载置基板的旋转台的上表面、侧表面、下表面等也堆积膜。而且，当在旋转台的上表面、侧表面、下表面等堆积的膜的膜厚变厚时，堆积的膜剥落，产生微粒。因此，定期性地向处理室内供给清洁气体来去除在旋转台的上表面、侧表面、下表面等堆积的膜(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2010-153805号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述的方法中，供给清洁气体的喷嘴与旋转台之间的间隔狭小，因此从喷嘴供给的清洁气体的流速快，使得清洁气体大部分在去除堆积于旋转台的上表面的膜之前被排出。因此，去除在旋转台的上表面堆积的膜所需的清洁时间变长，另外，在旋转台的表面内去除堆积的膜的时间产生差异。

因此，在本发明的一个方式中，其目的在于，提供一种能够缩短清洁时间并进行均匀性高的清洁的清洁方法。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的一个方式所涉及的清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，在处理室内在使上表面能够载置基板的旋转台在第一清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给清洁气体；以及第二清洁工序，在使所述旋转台在比所述第一清洁位置靠下方的第二清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给所述清洁气体。

发明的效果

根据公开的清洁方法，能够缩短清洁时间，进行均匀性高的清洁。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的成膜装置的概要截面图。

图2是示出图1的成膜装置的真空容器内的结构的概要立体图。

图3是示出图1的成膜装置的真空容器内的结构的概要俯视图。

图4是图1的成膜装置的沿着旋转台的同心圆的真空容器的概要截面图。

图5是用于说明图1的成膜装置的分离区域的概要截面图。

图6是示出本发明的实施方式的清洁方法的一例的时序图。

图7是用于说明图1的成膜装置的旋转台的升降动作的概要截面图(1)。

图8是用于说明图1的成膜装置的旋转台的升降动作的概要截面图(2)。

图9是示出本发明的实施方式的清洁方法的另一例子的时序图。

附图标记说明

1：真空容器；2：旋转台；2a：凹部；5：突出部；31：反应气体喷嘴；32：反应气体喷嘴；33：清洁气体喷嘴；51：分离气体供给管；C：中心区域；D：分离区域；P1：第一处理区域；P2：第二处理区域；W：晶圆。

具体实施方式

下面，参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外，在本说明书和附图中，通过对实质上相同的结构标注相同的标记来省略重复的说明。