[发明专利]一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列有效
申请号: | 201711277252.9 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN107978865B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 修威;乔帅阳;杨光 | 申请(专利权)人: | 北京华镁钛科技有限公司 |
主分类号: | H01Q9/04 | 分类号: | H01Q9/04;H01Q21/06 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 巴晓艳 |
地址: | 北京市海淀区农大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 相控阵 扫描 波段 极化 微带 天线 及其 阵列 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列,是基于相控阵的应用,尤其是相控阵天线技术领域。
背景技术
双极化技术是无线通信领域十分重要的技术,可用来实现极化分集和极化复用,极化分集是解决无线信道多径衰落的有效方法,而极化复用则可以更加有效地利用有限的频谱资源。且微带天线具有低轮廓、小体积、重量轻、极化特性多样化的特点,极易与馈电网络和有源电路集成,故而得到了广泛的应用。但其窄频带的缺点严重制约着现代无线通信对大带宽的需求。
针对微带天线的优点和缺点,本发明设计出了一款工作于扫描范围±70°,大带宽,高增益,双圆极化,低轴比,可应用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双端口双圆极化宽扫描角S波段微带天线及其阵列,该天线具有结构简单,扫描范围±70°,宽带宽,高增益,低轴比,端口隔离度高,交叉极化性能优越,且方便扩展为任意的大型阵列。
实现本发明目的的技术解决方案为:
一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线,
所述天线包括顶部介质层(1),中间介质层(2),底部介质层(3),位于顶部介质层(1)之上的第一环形结构(11),位于中间介质层(2)之上的矩形贴片(4)和第二环形结构(10),位于地板(12)之上的缝隙(5),位于底部介质层(3)之下的第一馈线(6)和第二馈线(9),第一馈线(6)和第二馈线(9)两端分别端接左旋圆极化端口(7)和右旋圆极化端口(8),所述天线的左旋圆极化通过左旋圆极化端口(7)获得,右旋圆极化通过右旋圆极化端口(8)获得。
其中,所述第一馈线(6)和所述第二馈线(9)分别通过地板(12)之上的缝隙(5)给天线馈电,并通过控制所述缝隙(5)的位置和大小调整耦合到天线能量的大小。
其中,所述第二环形结构(10)和所述第一环形结构(11)分别位于所述中间介质层(2)和所述顶部介质层(1)之上用来拓展天线的波束宽度。
其中,所述天线为矩形形状、圆形形状或三角形形状。
其中,所述缝隙(5)为两条交叉的十字缝隙或三条交叉的缝隙或四条交叉的米字形缝隙。
由上述的宽扫描角S波段双圆极化微带天线组成的天线阵列,所述天线阵列由若干天线单元组成,相邻任意两个天线单元的中心间距小于λ,其中,λ为收发工作频段的中心频率中的高频对应的自由空间波长。
其中,所述天线阵列是由天线单元组成2*2相控阵阵列,其扫描70度时,增益为4.44dB。
本发明与现有技术相比,其显著优点为:
首先是实现了大的带宽,完全能覆盖S频段及其拓展频段;其次是在一个天线上实现了双端口双圆极化性能,使用者可根据所需的极化方式自主选择;再次是实现了相控阵对天线的要求,在±70°扫描范围内保持高的增益和低的轴比。
附图说明
图1是本发明一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列的结构顶视图。
图2是本发明一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列的结构侧视图。
图3是采用HFSS进行仿真的S参数图。
图4是本发明天线在端口(8)激励时中心频率为2.1GHz时仿真辐射方向图。
图5是本发明天线在端口(7)激励时中心频率为2.1GHz时仿真辐射方向图。
图6是本发明天线在宽角范围内轴比。
图7是本发明天线在全频段内轴比。
图8是本发明天线组成2×2阵列时扫描θ=±70°时的仿真辐射方向图。
具体实施方式
下面结合图以及具体实施例对本发明的技术方案作进一步说明。
以下参照附图,进一步描述本发明具体技术方案,以便本领域的技术人员进一步理解本发明,而不构成对其权利的限制。
需要进行说明的是:
实施例中出现的馈线(6)和馈线(9),端口(7)和端口(8)可以通过不同的附图标记加以区别,而在权利要求书中,附图标记由于不起到限定作用,因此,为了进一步明确其不同,撰写为第一馈线(6)和第二馈线(9),左旋圆极化端口(7)和右旋圆极化端口(8),仅仅是为了区分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华镁钛科技有限公司,未经北京华镁钛科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711277252.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。