[发明专利]高导电性硫化镉靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 201711237510.0 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108002838B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王波;朱刘;张佳 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/547 | 分类号： | C04B35/547;C04B35/622;C04B35/64;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨;高虹 |
| 地址： | 511517 广东省清远市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电性 硫化 镉靶材 及其 制备 方法 | ||
1.一种高导电性硫化镉靶材，其特征在于，由硫化镉以及无水硫酸镉组成，所述无水硫酸镉的含量为50ppm～10000ppm。
2.根据权利要求1所述的高导电性硫化镉靶材，其特征在于，所述无水硫酸镉的含量为300ppm～7000ppm。
3.一种高导电性硫化镉靶材的制备方法，用于制备权利要求1或2所述的高导电性硫化镉靶材，其特征在于，包括步骤：
将硫化镉粉体加入到硫酸镉溶液中，浸泡一段时间，然后经过离心、干燥、破碎研磨，接着置于热压烧结炉内进行压靶处理，降温后开炉出料，即得到高导电性硫化镉靶材。
4.根据权利要求3所述的高导电性硫化镉靶材的制备方法，其特征在于，所述硫化镉粉体的纯度大于等于5N。
5.根据权利要求3所述的高导电性硫化镉靶材的制备方法，其特征在于，所述干燥温度为200℃～500℃。
6.根据权利要求3所述的高导电性硫化镉靶材的制备方法，其特征在于，压靶处理过程为：将破碎研磨后的粉体经装炉、抽真空、加热、加压后压制成靶材。
7.一种高导电性硫化镉靶材的制备方法，用于制备权利要求1或2所述的高导电性硫化镉靶材，其特征在于，包括步骤：
将硫化镉粉体和无水硫酸镉粉体混合，然后置于热压烧结炉内进行压靶处理，降温后开炉出料，即得到高导电性硫化镉靶材。
8.根据权利要求7所述的高导电性硫化镉靶材的制备方法，其特征在于，所述硫化镉粉体的纯度大于等于5N。
9.根据权利要求7所述的高导电性硫化镉靶材的制备方法，其特征在于，所述无水硫酸镉粉体的纯度大于等于3N，所述无水硫酸镉粉体的目数为200目以下。
10.根据权利要求7所述的高导电性硫化镉靶材的制备方法，其特征在于，压靶处理过程为：将混合后的粉体经装炉、抽真空、加热、加压后压制成靶材。
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