[发明专利]单晶二氧化钛薄膜的制备方法以及制备用蒸发架有效
| 申请号： | 201711144462.0 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108950532B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 王国成;宋小霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C23C22/54 | 分类号： | C23C22/54;C23C22/34 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶二 氧化 薄膜 制备 方法 以及 蒸发 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶二氧化钛薄膜的制备方法，包括：
用酸洗液对钛基金属进行清洗；
将该酸洗后的钛基金属置于蒸发架上，加入形貌引导液浸没该钛基金属，并将所述蒸发架置于装有酸蒸溶液的蒸发釜，加热至120-230℃进行湿蒸处理0.5-24小时；其中，在所述酸蒸溶液中，酸与水的体积比在1％以下。
2.如权利要求1所述的单晶二氧化钛薄膜的制备方法，其中，所述酸洗液为HF与HNO3的混合溶液。
3.如权利要求1所述的单晶二氧化钛薄膜的制备方法，其中，所述酸蒸溶液为选自HF、HCl、HNO3等的一种或多种的溶液。
4.如权利要求1所述的单晶二氧化钛薄膜的制备方法，其中，所述形貌引导液为纯水或卤化盐溶液。
5.如权利要求4所述的单晶二氧化钛薄膜的制备方法，其中，所述卤化盐溶液为SrCl2、NaCl、KCl或CaCl2溶液。
6.如权利要求4所述的单晶二氧化钛薄膜的制备方法，其中，所述卤化盐溶液浓度为0.5至5M。
7.如权利要求1所述的单晶二氧化钛薄膜的制备方法，其中，进行湿蒸处理0.5-12小时。
8.如权利要求1所述的单晶二氧化钛薄膜的制备方法，其中，在160-200℃进行湿蒸处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院深圳先进技术研究院，未经中国科学院深圳先进技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711144462.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理，例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理，例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理
