[发明专利]用于甚高频至特高频通讯的光穿透辐射元件在审

专利信息
申请号: 201711133912.6 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN109802228A 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 吴宏伟;洪政源;叶昌鑫 申请(专利权)人: 吴宏伟
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01B5/14
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 席勇;周勇
地址: 中国台湾台南市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 透明导电膜 辐射元件 穿透 特高频 基板 数字电视信号接收 玻璃帷幕 电性连接 光穿透度 结构配置 绝缘基材 美观设计 射频信号 天线本体 相对两侧 光波长 接地端 连接端 电性 电阻 整合 塑胶 金属 通讯 配置
【说明书】:

本发明公开了一种用于甚高频至特高频的光穿透辐射元件,其包含基板以及第一透明导电膜结构及第二透明导电膜结构。第一透明导电膜结构及第二透明导电膜结构配置于基板的表面上,且以一定间距为轴心而分别配置于轴心的相对两侧,其中第一透明导电膜结构具有射频信号连接端,其用以电性连接数字电视信号接收端,且第二透明导电膜结构具有电性接地端。其中第一透明导电膜结构及第二透明导电膜结构的电阻值小于0.1mΩ,且第一透明导电膜结构及第二透明导电膜结构在光波长为440纳米处的光穿透度大于50%。本发明的光穿透辐射元件可以取代金属,整合于任意绝缘基材上,如玻璃帷幕、塑胶等,借以达到隐藏天线本体亦或是美观设计需求。

技术领域

本发明是有关于一种用于甚高频至特高频的光穿透辐射元件装置,且特别是有关于一种具有透明且导电特性的薄膜结构,其可整合于透明基材比如玻璃帷幕上,隐藏其本体并达到美观设计需求。

背景技术

近年来,随着数字电视结合各种可携式电子产品,例如手机、个人数字助理(Personal Digital Assistant;PDA)、笔记本电脑等,在这些可携式电子产品采用小型化的天线已成为趋势。然而,对于一般用以接收数字电视信号的天线而言,其采用甚高频(Very High Frequency;VHF)至特高频(Ultra High Frequency;UHF)频段的信号,因天线尺寸与波长相对应,故天线尺寸通常较大。此外,公知天线采用金属进行设计,而对于大型的数字电视天线而言,无法整合于居家家饰或玻璃等载具上,因其无法达到美观设计需求。若可采用透明导电材料(例如透明导电膜)来制作平面式天线,将可置于玻璃帷幕上或是任意物体上,并隐藏天线的存在,进而达到美观设计需求。另一方面,公知透明导电元件是采用透明导电膜进行制作,然而,现今的透明导电膜的量产方式是采用溅镀设备(sputter),此溅镀设备生产透明导电膜的速度极慢;若用于制作射频被动元件,需考量到薄膜厚度需要大于元件操作频率的集肤深度(skin effect),亦即特定频率电磁波在金属导体表面传播时所需厚度,故采用透明导电膜生产被动元件不符合经济效益。有鉴于此,有必要开发一种光穿透辐射元件,其可应用于甚高频至特高频频段的通讯,以相容于数字电视频段,并易于达成美观设计需求。

参照中国台湾专利公告号I475746的发明专利,其公开了一种定向数字电视天线,其采用金属结合绝缘介电基板形成,采用阻抗变换段,以达到良好定向效果,并提高天线增益以及展宽天线带宽,且减少3dB波束横向宽度并提高隔离度,因而改善了数字电视天线的既有问题。然而,此数字电视天线采用金属片,故其色泽无法整合于透明基材上,因而无法达成隐藏天线的美观设计需求。

职是之故,申请人乃细心试验与研究,并一本锲而不舍的精神,终于研究出一种用于甚高频至特高频通讯的光穿透辐射元件,其可用以作为数字电视天线,且特别是有关于采用一种透明导电膜结构的数字电视天线。光穿透辐射元件具有高透明度,故可增加数字电视天线的设计自由度,且可整合于任意载具上,并具有改善数字电视收讯的功效,故可解学公知技术采用金属材质制作天线而无法满足美观设计需求及隐藏天线的效果。

发明内容

本发明的主要目的在于提出一种用于甚高频至特高频通讯的光穿透辐射元件,通过透明导电膜结构的使用,使其结构具有高透光度,以易于整合于任意载具上,达到美观设计需求,且光穿透辐射元件本体可隐藏,并具有缩小体积的功效。此外,本发明的光穿透辐射元件也可改善无线通讯产品的天线效能。

为达上述目的,本发明提出一种用于甚高频至特高频通讯的光穿透辐射元件,其包含有基板、第一透明导电膜结构和第二透明导电膜结构。第一透明导电膜结构和第二透明导电膜结构是配置于基板的表面上,且以一定间距为轴心而分别配置于轴心的相对两侧,其中第一透明导电膜结构具有射频信号连接端,其用以电性连接数字电视信号接收端,且第二透明导电膜结构具有电性接地端。第一透明导电膜结构及第二透明导电膜结构的电阻值小于0.1mΩ以下,且第一透明导电膜结构及第二透明导电膜结构在光波长为440纳米处的光穿透度大于50%。

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