[发明专利]一种消除电流纹波的电路,系统及其方法在审

专利信息
申请号: 201711124999.0 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN109788600A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 胡龙山;李亮;刘柳胜;程宝洪 申请(专利权)人: 美芯晟科技(北京)有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 代理人: 陈霁
地址: 100191 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 负反馈电路 无纹波 低通滤波电路 电路 电流纹波 滤波处理 晶体管 可控 频闪 人眼 头晕目眩 电压产生 视觉冲击 纹波电流 纹波电压 偏头痛 无频闪 滤波 纹波 视力
【权利要求书】:

1.一种消除电流纹波的电路,包括:低通滤波电路和可控晶体管,其特征在于,还包括:负反馈电路;

所述低通滤波电路用于将纹波电压进行滤波处理;所述负反馈电路用于将滤波后的电压进行进一步滤波处理,得到无纹波电压;所述可控晶体管根据无纹波电压产生无纹波电流。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述负反馈电路包括:NPN三极管和第三电阻R3;

所述第三电阻一端与NPN三极管的基极连接;所述第三电阻另一端与电解电容负极相连,所述NPN三极管的集电极与可控晶体管的第二端相连,所述NPN三极管的基极与可控晶体管的第三端相连,所述NPN三极管的发射极与输出电容负极相连。

3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述可控晶体管,包括:MOS管、三极管或达林顿管。

4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述低通滤波电路,包括:第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容;第一电阻R1和第二电阻R2串联,第一电容C1与电阻R2并联;或者

包括第一电阻R1和第一电容;或者

包括稳压管和第一电容。

5.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,还包括:第四电阻,所述第四电阻一端与所述NPN三极管的发射极相连,所述第四电阻另一端与输出电容负极相连。

6.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述NPN三极管,用NMOS管、放大器或达林顿管替代。

7.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述MOS管,选用NMOS管;所述NMOS管工作于恒流区,所述NMOS管漏极、源极两端电压VDS要大于所述NMOS管栅极、源极两端电压VGS与阈值电压VTH之差,即

VDS>VGS-VTH

8.一种消除电流纹波的系统,其特征在于,包括如权利要求1至4中任一权利要求所述的消除电流纹波的电路,以及恒流驱动芯片;所述消除电流纹波的电路与LED灯串串联,通过所述消除电流纹波的电路去除LED灯串上的纹波电流。

9.一种消除电流纹波的方法,其特征在于,包括:

恒流驱动芯片将有纹波的交流电输入给低通滤波器;

所述低通滤波电路将所述有纹波的交流电转换为带有小幅度纹波的直流电,输入给可控晶体管;

所述带有小幅度纹波的直流电通过负反馈电路消除纹波,并输出无纹波的直流电。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述MOS管,选用NMOS管;所述NMOS管工作于恒流区,所述NMOS管漏极、源极两端电压VDS要大于所述NMOS管栅极、源极两端电压VGS与阈值电压VTH之差,即

VDS>VGS-VTH

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