[发明专利]AMOLED显示面板及AMOLED显示器有效
申请号: | 201711076979.0 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107799577B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 李秀妍;李鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 显示 面板 显示器 | ||
本发明实施例公开了一种AMOLED显示面板,包括:显示区域,所述显示区域内设有多个像素电极,相邻像素电极之间彼此分离;非显示区域,其位于显示区域的外侧且环绕所述显示区域设置;其中,所述非显示区域包括:虚拟像素区,其邻近所述显示区域设置,所述虚拟像素区包括多个虚拟电极,至少部分所述虚拟电极靠近显示区域边缘的像素电极设置,所述虚拟电极与所述像素电极同一制程形成;周边外围区,其邻近所述虚拟像素区或虚拟像素区和显示区域设置,所述虚拟像素区位于显示区域和周边外围区之间。本发明实施例还公开了一种AMOLED显示器。采用本发明,具有提高AMOLED显示面板的显示均匀性的优点。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种AMOLED显示面板及AMOLED显示器。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板因具有因为具备轻薄、节能、宽视角、色域广、对比度高等特性而备受人们的青睐,有机发光二极管显示面板分为被动式有机发光二极管显示面板(PMOLED)和主动式有机发光二极管显示面板(AMOLED)。目前常用的AMOLED显示面板包括显示区域和周边外围区,所述周边外围区环绕显示区域设置,所述显示区域包括多个阳极、多个有机发光层和一整面阴极,多个所述阳极、有机发光层呈阵列排列,从而有些行/列的阳极靠近显示区域的中心位置,有些靠近周边外围区(例如显示区域边缘的阳极),在形成阳极的制程中,具体为显影、蚀刻过程中,显示区域中心的阳极正常蚀刻形成,而显示区域边缘的阳极由于其外侧没有其他阳极,从而蚀刻过程中显示区域边缘的阳极会被蚀刻掉比较多的部分,从而导致显示区域边缘的阳极的尺寸会比中心区域的阳极的尺寸小,具体为长宽尺寸不一样,从而导致在相同设计条件下,阳极的实际大小会不一样,例如阳极的密度不一样,这样会导致AMOLED显示面板显示不均匀。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种AMOLED显示面板及AMOLED显示器。可提高AMOLED显示面板的显示均匀性。
为了解决上述技术问题,本发明第一方面实施例提供了一种AMOLED显示面板,包括:
显示区域,所述显示区域内设有多个像素电极,相邻像素电极之间彼此分离;
非显示区域,其位于显示区域的外侧且环绕所述显示区域设置;其中,所述非显示区域包括:
虚拟像素区,其邻近所述显示区域设置,所述虚拟像素区包括多个虚拟电极,至少部分所述虚拟电极靠近显示区域边缘的像素电极设置,所述虚拟电极与所述像素电极通过同一制程形成;
周边外围区,其邻近所述虚拟像素区或虚拟像素区和显示区域设置,所述虚拟像素区位于显示区域和周边外围区之间。
在本发明第一方面一实施例中,所述虚拟像素区位于所述显示区域的一侧、两侧或三侧设置,所述周边外围区邻近虚拟像素区和显示区域设置。
在本发明第一方面一实施例中,所述虚拟像素区环绕所述显示区域设置,所述周边外围区环绕所述虚拟像素区设置。
在本发明第一方面一实施例中,所述虚拟电极的尺寸和排列方式与相应的所述像素电极的尺寸和排列方式相同。
在本发明第一方面一实施例中,所述显示区域包括多列像素电极和多行像素电极,所述虚拟像素区包括多列虚拟电极和多行虚拟电极,其中,至少部分多列虚拟电极位于所述多列像素电极的延长线上,至少部分多行虚拟电极位于所述多行像素电极的延长线上。
在本发明第一方面一实施例中,最靠近显示区域的一列或一行虚拟电极包括第一部分和第二部分,其中第一部分位于显示区域,第二部分位于虚拟像素区。
在本发明第一方面一实施例中,所述像素电极为AMOLED显示面板的阳极,对应的,所述虚拟电极为虚拟阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的