[发明专利]IBC电池的电极制备方法在审
申请号: | 201711063246.3 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN107863397A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 张婷;郭永刚;屈小勇;任军刚;马继奎;陈璐;王举亮;吴翔 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | ibc 电池 电极 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池工艺技术领域,尤其涉及一种IBC电池的电极制备方法。
背景技术
目前P型晶体硅电池仍占据行业主要市场,但根据技术的更新P型晶体硅高效电池技术看似走向了尽头,而行业对于N型晶体硅电池高效技术的开发近年来呈增长趋势。近来IBC(Interdigitated back contact)替指交错背接触太阳能电池就是高效光伏电池的一种,其通过设置正负极在电池片的背面,将接触发射区的电极与接触基区的电极交错分布,使电池片正面无任何遮挡,从而使电池正面能够更有效的收集光生载流子,提升电池转换效率。国内天合自主研发的大面积6英寸全背电极太阳电池(IBC)效率超过24%,达到24.13%,开路电压超过700mV。且国际上IBC太阳能电池片已实现产业化最高为24.2%的转换效率,相对简单的制备工艺使其在高效率电池生产上量产的可能性增大。
IBC太阳能电池的正负极细栅线栅线呈指替状排列在电池背面,目前基本为100根左右,主栅线垂直于细栅线4-8根。现有的IBC太阳能电池背电极的结构如图1所示,其中,1代表正极主栅段,2代表负极主栅段,3代表正极细栅线,4代表负极细栅线,5代表绝缘胶,这种IBC太阳能电池电极的实现方法为:主栅线与副细栅线垂直印刷,正极主栅段与负极细栅线连接处通过印刷绝缘胶实现隔离,负极主栅段与正极细栅线连接处通过印刷绝缘胶实现隔离。该做法的缺陷是:
(1)对于副栅线、绝缘胶、主栅线需要多次印刷,制程复杂。
(2)这种电池结构需要印刷绝缘胶进行隔绝,该物质对环境不利且增加电池成本。
(3)这种结构需要印刷浆料进行电流收集和焊接,导致电池成本较高。
因此,需要对IBC太阳能电池电极结构工艺进行改进。
发明内容
本发明提出了一种IBC电池的电极制备方法,以解决现有技术中的上述问题。
为了解决上述问题,本发明提供如下技术方案:
一种IBC电池的电极制备方法,包括以下步骤:
在硅基底上制备IBC电池,其中所述IBC电池包括电池正面及电池背面,所述电池背面上制备有P区及N区,且所述P区及N区上制备有钝化膜;
对P区及N区上的钝化膜分别进行细栅线激光划线,形成正极细栅线线槽与负极细栅线线槽,其中正极细栅线线槽与负极细栅线线槽相互平行且交替排列;
对P区及N区上的钝化膜分别进行主栅段激光划槽,形成正极主栅段槽与负极主栅段槽,其中所述正极主栅段槽仅与所述正极细栅线线槽相互垂直连接,所述负极主栅段槽仅与所述负极细栅线线槽相互垂直连接;且正极主栅段槽以及负极主栅段槽均位于IBC电池片的内部;
对正极细栅线线槽、负极细栅线线槽、正极主栅段槽与负极主栅段槽同时进行电镀,对应形成正极细栅线、负极细栅线、正极主栅段与负极主栅段。
在本发明的一个实施例中,所述正极细栅线线槽的槽宽为10-15μm。
在本发明的一个实施例中,所述负极细栅线线槽的槽宽为10-15μm。
在本发明的一个实施例中,所述正极主栅段槽的槽宽为500-600μm,其高度小于P区间距。
在本发明的一个实施例中,所述P区间距为800-850μm。
在本发明的一个实施例中,所述负极主栅段槽的槽宽为400-450μm,其高度小于N区间距。
在本发明的一个实施例中,所述N区间距为800-850μm。
在本发明的一个实施例中,所述电镀的方式为以Ni为种子层、Cu为电流导通层、Ag为焊接层。
在本发明的一个实施例中,所述正极细栅线与所述负极细栅线的电镀达到的标准为:镍层铺满正极/负极细栅线线槽的内表面,Cu层高20-30μm、宽30-50μm,银层铺满Cu表面。
在本发明的一个实施例中,所述正极主栅段与负极主栅段的电镀标准为:镍层铺满正极/负极主栅段槽的内表面,Cu层高20-40μm、宽30-50μm,银层铺满Cu表面。
本发明由于采用以上技术方案,使之与现有技术相比,存在以下的优点和积极效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司,未经国家电投集团西安太阳能电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711063246.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种背接触式太阳电池组件及制备方法
- 下一篇:单面湿法黑硅硅片的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的