[发明专利]IBC电池的电极制备方法在审
| 申请号： | 201711063246.3 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107863397A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张婷;郭永刚;屈小勇;任军刚;马继奎;陈璐;王举亮;吴翔 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ibc 电池 电极 制备 方法 | ||
1.一种IBC电池的电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在硅基底上制备IBC电池，其中所述IBC电池包括电池正面及电池背面，所述电池背面上制备有P区及N区，且所述P区及N区上制备有钝化膜；
对P区及N区上的钝化膜分别进行细栅线激光划线，形成正极细栅线线槽与负极细栅线线槽，其中正极细栅线线槽与负极细栅线线槽相互平行且交替排列；
对P区及N区上的钝化膜分别进行主栅段激光划槽，形成正极主栅段槽与负极主栅段槽，其中所述正极主栅段槽仅与所述正极细栅线线槽相互垂直连接，所述负极主栅段槽仅与所述负极细栅线线槽相互垂直连接；且正极主栅段槽以及负极主栅段槽均位于IBC电池片的内部；
对正极细栅线线槽、负极细栅线线槽、正极主栅段槽与负极主栅段槽同时进行电镀，对应形成正极细栅线、负极细栅线、正极主栅段与负极主栅段。
2.如权利要求1所述的IBC电池的电极制备方法，其特征在于，所述正极细栅线线槽的槽宽为10-15μm。
3.如权利要求1所述的IBC电池的电极制备方法，其特征在于，所述负极细栅线线槽的槽宽为10-15μm。
4.如权利要求1所述的IBC电池的电极制备方法，其特征在于，所述正极主栅段槽的槽宽为500-600μm，其高度小于P区间距。
5.如权利要求4所述的IBC电池的电极制备方法，其特征在于，所述P区间距为800-850μm。
6.如权利要求1所述的IBC电池的电极制备方法，其特征在于，所述负极主栅段槽的槽宽为400-450μm，其高度小于N区间距。
7.如权利要求6所述的IBC电池的电极制备方法，其特征在于，所述N区间距为800-850μm。
8.如权利要求1所述的IBC电池的电极制备方法，其特征在于，所述电镀的方式为以Ni为种子层、Cu为电流导通层、Ag为焊接层。
9.如权利要求8所述的IBC电池的电极制备方法，其特征在于，所述正极细栅线与所述负极细栅线的电镀达到的标准为：镍层铺满正极/负极细栅线线槽的内表面，Cu层高20-30μm、宽30-50μm，银层铺满Cu表面。
10.如权利要求8或9所述的IBC电池的电极制备方法，其特征在于，所述正极主栅段与负极主栅段的电镀标准为：镍层铺满正极/负极主栅段槽的内表面，Cu层高20-40μm、宽30-50μm，银层铺满Cu表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
