[发明专利]一种P型聚合物半导体材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710947475.5 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109651599B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 郭旭岗;虞坚炜;杨杰;周鑫 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 半导体材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种P型聚合物半导体材料，其特征在于，所述P型聚合物半导体材料具有式I所示结构：
其中，R1和R2独立地为氢、卤素、氰基或-OR；R为直链烷基或支链烷基，π基团为如下基团中的任意一种：D基团为如下基团中的任意一种：
虚线表示基团的连接位置，n为10-100的整数。
2.根据权利要求1所述的P型聚合物半导体材料，其特征在于，所述卤素为F、Cl、Br或I。
3.根据权利要求2所述的P型聚合物半导体材料，其特征在于，所述卤素为F或Cl。
4.根据权利要求1所述的P型聚合物半导体材料，其特征在于，所述P型聚合物半导体材料为具有如下式II-式XI所示结构的聚合物材料：
在式II-式XI中，R为直链烷基或支链烷基，π基团和D基团独立地具有与权利要求1相同的限定范围，n为10-100的整数。
5.根据权利要求1所述的P型聚合物半导体材料，其特征在于，所述R为如下基团中的任意一种：
其中虚线表示基团的连接位置。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的P型聚合物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：溴化单体与锡化单体在催化剂和催化剂配体存在下发生聚合反应，得到所述P型聚合物半导体材料；
其中所述溴化单体为：其中R1和R2独立地为氢、卤素、氰基或-OR；R为直链烷基或支链烷基，π基团具有与权利要求1具有相同的限定范围；
所述锡化单体为其中R3、R4、R5、R6、R7和R8独立地为烷基，D基团具有与权利要求1具有相同的限定范围。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述溴化单体为中的任意一种。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述溴化单体与锡化单体的摩尔比为1:1～1:1.2。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂与溴化单体的摩尔比为(0.01-0.05):1。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂与溴化单体的摩尔比为0.02:1。
11.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂与催化剂配体的摩尔比为1:(4-15)。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂与催化剂配体的摩尔比为1:8。
13.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂为三(二亚苄基丙酮)二钯。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述三(二亚苄基丙酮)二钯的用量使得其中所含钯相对于溴化单体为0.005-0.1当量。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述三(二亚苄基丙酮)二钯的用量使得其中所含钯相对于溴化单体为0.01-0.06当量。
16.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂配体为三(邻甲基苯基)磷。
17.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述反应在保护性气体保护下进行。
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