[发明专利]基于VHDL-AMS退化模型的板级电路寿命预测方法

权利要求书

1.一种基于VHDL-AMS退化模型的板级电路寿命预测方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、对电路中的元器件进行分类处理；

采用自顶向下的方法，将电路中的电路模块或元器件按照功能和结构相同标记为一类，其中，电路模块标记为：{m₁，m₂，…,m_i，…}，元器件标记为：{p₁，p₂，p₃，…}，

再对每一类电路模块中的子电路模块按照上述方法进行标记编号，直到得到所有的元器件的分类{P₁，P₂，P₃，…，P_n}，其中，m_i表示i类电路模块，第P_n表示第n类元器件；

(2)、确定电路基本元器件失效模式、失效机理，并分析元器件的失效模式、失效机理，对元器件进行退化分析，得到元器件的退化数据；

(3)、依据元器件的退化数据建立退化模型；

(3.1)、对退化数据进行去噪平滑处理，剔除奇异值，得到标准退化数据；

(3.2)、根据给定的特征集，从标准退化数据中提取特征样本；

(3.3)、根据特征样本选取不同的退化轨迹，再利用matlab工具对不同的退化轨迹进行曲线拟合，以拟合曲线与退化数据之间的偏差平方和最小为原则，选出最优的退化轨迹；

(4)、建立元器件的VHDL-AMS退化模型；

(4.1)、打开ANSYS Simplorer软件，新建一个工程，在基本元器件库中选择需要的元器件的VHDL-AMS模型；

(4.2)、根据步骤(3)中得到的最优的退化轨迹来修改VHDL-AMS模型中相应的参数，从而得到元器件的VHDL-AMS退化模型；

(5)、利用元器件的AMS-VHDL退化模型构建电路原理图，并进行仿真，分析元器件退化效应，从而得到电路的实际退化轨迹；

(6)、根据电路的实际使用场所，对电路输出特性设置失效阈值，再仿真分析实际退化轨迹，当电路输出特性退化到预设置的失效阈值对应的时间时，即为电路的寿命值。

2.根据权利要求1所述的基于VHDL-AMS退化模型的板级电路寿命预测方法，其特征在于，所述步骤(3.3)中，不同的退化轨迹包括有：线性退化轨迹：x＝a+bt，凸型退化轨迹x＝a*exp(b*t)和凹形退化轨迹x＝a*t^b；其中，a、b为常数，t为时间。