[发明专利]光感测单元及光学感测阵列结构

权利要求书

1.一种光学感测阵列结构，其特征在于，包括：

多条数据线；

多条扫描线，该些扫描线与该些数据线相互交错；

多个感测区域；

多个光感测单元，分别位于该些感测区域，各该光感测单元包括：

一第一电极；

一第二电极，位于该第一电极上方；

一第三电极，位于该第二电极上方；

一光敏介电层，位于该第二电极与该第三电极之间；

一桥接电极，位于该光敏介电层的边缘且位于该光敏介电层与该第三电极之间；以及

一平坦层，覆盖该第三电极；以及

多个主动元件，分别位于该些感测区域且分别对应于该些光感测单元，各该主动元件耦接该些扫描线中之一、该些数据线中之一与对应的该光感测单元的该第二电极。

2.如权利要求1所述的光学感测阵列结构，其特征在于，各该光感测单元的该第三电极覆盖该光敏介电层与该桥接电极。

3.如权利要求1所述的光学感测阵列结构，其特征在于，各该光感测单元更包括：

一图案化保护层，位于各该光感测单元的该光敏介电层、该第三电极与该桥接电极之间，其中该图案化保护层的折射率小于各该第三电极。

4.如权利要求3所述的光学感测阵列结构，其特征在于，该图案化保护层覆盖各该光感测单元的该桥接电极的侧表面以及各该光感测单元的该桥接电极的该侧表面与该光敏介电层的交界处。

5.如权利要求4所述的光学感测阵列结构，其特征在于，该图案化保护层更覆盖各该光感测单元的该桥接电极的上表面的邻近该侧表面的边缘。

6.如权利要求1所述的光学感测阵列结构，其特征在于，各该光感测单元更包括：

一图案化保护层，覆盖各该光感测单元的该光敏介电层与该桥接电极，其中该图案化保护层的折射率小于各该第三电极，该图案化保护层具有分别位于该些桥接电极上的多个第一接触窗以及分别位于该些光敏介电层上的多个第二接触窗，以及在各该光感测单元中，该第三电极经由该第一接触窗与该桥接电极直接接触，且该第三电极经由该第二接触窗与该光敏介电层直接接触。

7.如权利要求6所述的光学感测阵列结构，其特征在于，各该第一接触窗的开口小于对应的该桥接电极的上表面。

8.如权利要求6所述的光学感测阵列结构，其特征在于，各该第一接触窗位于对应的该桥接电极的中间。

9.如权利要求6所述的光学感测阵列结构，其特征在于，各该第二接触窗与邻近的该桥接电极间隔。

10.一种光感测单元，其特征在于，包括：

一第一电极；

一第二电极，位于该第一电极上方；

一第三电极，位于该第二电极上方；

一光敏介电层，位于该第二电极与该第三电极之间；

一桥接电极，位于该光敏介电层的边缘且位于该光敏介电层与该第三电极之间；以及

一平坦层，覆盖该第三电极。

11.如权利要求10所述的光感测单元，其特征在于，各该光感测单元的该第三电极覆盖该光敏介电层与该桥接电极。

12.如权利要求10所述的光感测单元，其特征在于，更包括：

一图案化保护层，位于各该光感测单元的该光敏介电层、该第三电极与该桥接电极之间，其中该图案化保护层的折射率小于各该第三电极。

13.如权利要求12所述的光感测单元，其特征在于，该图案化保护层覆盖各该光感测单元的该桥接电极的侧表面以及该桥接电极的该侧表面与该光敏介电层交界处。