[发明专利]一种冬早马铃薯半沟种植方法有效

专利信息
申请号: 201710507914.0 申请日: 2017-06-28
公开(公告)号: CN107114109B 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 任习荣;胡德波;张定红;许玉平;王燕;李重红;王芳;刘仁平;许冰鑫;曾顺碧 申请(专利权)人: 昭通市土壤肥料工作站
主分类号: A01G22/25 分类号: A01G22/25;A01C21/00
代理公司: 53106 昆明大百科专利事务所 代理人: 何健;杨建
地址: 657000 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 马铃薯 种植 方法
【说明书】:

一种冬早马铃薯半沟种植方法,种植区域选择冬季最冷月土壤10厘米深处的温度在5‑20℃的地区,选择pH值5.5‑6.5的沙壤土或轻壤土;马铃薯采用单行开沟种植,开沟后整个沟深25‑35厘米,相邻两沟的中心距离为65‑75厘米;开沟后摆种,然后按1000‑1500公斤/亩施农家肥,再按40公斤/亩施马铃薯专用肥,最后盖土6‑8厘米,此时沟深还剩8‑12厘米,待马铃薯出苗至苗高15‑20厘米时进行追肥,灌一次水,再按商品有机肥50公斤/亩和马铃薯专用肥60公斤/亩的量混合后施在马铃薯苗主茎周围,肥料离茎2.5‑3.5厘米,然后盖土培土10‑15厘米。本发明节肥、肥料利用率高、集中节约灌水、保肥保水能力强,可提高马铃薯产量和质量。

技术领域

本发明属于马铃薯种植方法技术领域。

背景技术

我国云南省昭通属于典型立体气候,最高海拔4040米,最低海拔267米,96%属于山区。马铃薯种植一直是昭通传统的重点产业,冬早马铃薯种植面积常年在60万亩左右。现有的冬早马铃薯种植方法,有双行起垄、单行起垄和单行平栽,施肥以一次性施肥为主,很少追肥。即便是追肥,也只是采取撒施、创坑浅施等方法。撒施的肥料利用率较低,追肥效果不好。创坑浅施方法伤根重、施肥浅、易烧苗、肥料利用率低。灌水方式是双行起垄的在大行间灌水,单行起垄的每个行间都灌水,单行平栽采用漫灌。以上方法种植马铃薯的缺点是出苗迟,垄面水分易散失,缺水的地块灌水量少,水不能集中在根部,追施肥料和少量灌水不能同时进行,而水源丰富的地块灌水量多,特别是漫灌会降低土温,加大肥料的流失,不利于根系对肥料的吸收,肥料利用率低,影响马铃薯生长。

发明内容

本发明的目的在于解决现有冬早马铃薯种植方法中存在的追肥效果不好、肥料利用率低等问题,提供一种节肥、集中节约灌水、保肥保水、可实现马铃薯优质高产的半沟种植方法。

本发明的目的通过如下技术方案实现:

一种冬早马铃薯半沟种植方法,种植区域选择冬季最冷月土壤10厘米深处的温度在5-20℃的地区,种植地块选择微酸性的沙壤土或轻壤土,土壤pH值5.5-6.5;马铃薯采用单行开沟种植,开沟的深度加上开沟堆积在沟两侧的土堆高,整个沟深25-35厘米,相邻两沟的中心距离为65-75厘米;开沟后摆种,然后按1000-1500公斤/亩施农家肥,再按40公斤/亩施马铃薯专用肥,最后盖土6-8厘米,此时沟深还剩8-12厘米,待马铃薯出苗至苗高15-20厘米时进行追肥,灌一次水,再按商品有机肥50公斤/亩和马铃薯专用肥60公斤/亩的量混合后施在马铃薯苗主茎周围,肥料离茎2.5-3.5厘米,然后盖土培土,培土高度10-15厘米即可。

本发明的优点如下:

(1)本发明方法有利于根系对肥料的吸收利用,基肥和追肥分为上下两层,分布均匀,有利于不同层次的根系吸收利用,提高肥料利用率;

(2)追肥时期正是马铃薯薯块膨大时期,是马铃薯全生育期需肥量最大时期,也是马铃薯对肥料吸收高峰期,此时追肥有利于根系对肥料的吸收利用,提高肥料利用率。根据试验示范测产数据分析,可提高肥料利用率3-5个百分点,增产12-15%;

(3)出苗早,有利于马铃薯光合作用,提高马铃薯产量和品质;

(4)半沟种植有利于集中节约灌水,灌水施肥培土后,保肥保水作用好,还解决了缺水地区不能实施规模化灌溉的问题。

具体实施方式

一种冬早马铃薯半沟种植方法,方法步骤如下:

(1)选择种植区域:冬早马铃薯种植区域选择在冬季最冷月土壤10厘米深处的温度在5-20℃的地区,因为在10厘米地温5-7℃条件下马铃薯开始萌芽,种薯的幼芽可以缓慢的伸长,当温度上升到10-12℃时,幼芽生长健壮,13-18℃是发育最适温度;

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