[发明专利]一种高密度、低电阻率AZO靶材的制备方法

权利要求书

1.一种高密度、低电阻率AZO靶材的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)预混液制备：取分散剂和粘接剂加入水中，搅拌均匀，用氨水调pH值至8～11，得预混液；分散剂的加入量为AZO粉体质量的0.2～0.3％，粘接剂的加入量为AZO粉体质量的0.3～2％，水的加入量为AZO粉体质量的10～20％；所述分散剂为重量比为1：1～2的柠檬酸和聚乙二醇的混合物；

(2)悬浮浆料的制备：向预混液中加入以化学共沉淀法制备的AZO粉体和烧结剂，再于球磨机中进行球磨，球磨后得到混合浆料，搅拌，抽真空除去浆料中的气泡；所述烧结剂由稀土氧化物、氮化硅和纳米GeO₂组成；

(3)注浆成型：把铝制模装在石膏板上，将步骤(2)所得浆料注入铝制模中；吸浆成型后脱模干燥，干燥温度为40～80℃，得AZO坯体；

(4)烧结：干燥后的AZO坯体在空气气氛下烧结，温度为1200～1400℃，保温时间为4～8小时，得AZO靶材。

2.根据权利要求1所述的一种高密度、低电阻率AZO靶材的制备方法，其特征在于：所述AZO粉体纯度不低于99.0％，粉体的粒径为0.05～0.15μm。

3.根据权利要求1所述的一种高密度、低电阻率AZO靶材的制备方法，其特征在于：所述粘接剂为聚丙烯酸类粘接剂或聚乙烯醇缩丁醛。

4.根据权利要求1所述的一种高密度、低电阻率AZO靶材的制备方法，其特征在于：所述稀土氧化物为CeO₂、Y₂O₃或Dy₂O₃，所述稀土氧化物的添加量为AZO粉体的1.0～1.5％。

5.根据权利要求1所述的一种高密度、低电阻率AZO靶材的制备方法，其特征在于：所述氮化硅的添加量为AZO粉体0.005～0.05％，所述纳米GeO₂的添加量为AZO粉体的0.5～1.0％。