[发明专利]一种制备核‑壳结构的钛酸铜钙基陶瓷的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电介质陶瓷的制备方法，尤其是涉及一种具有核-壳结构的钛酸铜钙基陶瓷的制备方法。

背景技术

高介电常数材料为实现滤波器、谐振器、存储器和电容器等重要电子器件的尺寸微型化和高性能化提供了可能，受到广泛的关注。钛酸铜钙（CaCu₃Ti₄O₁₂，CCTO）是几年发现的较为典型、较有代表性的高介电材料，其不论单晶还是陶瓷都具有高达10⁴的介电常数，介电常数在较宽的频率范围（10 Hz ~ 100 kHz）和较广的温度范围（100 ~ 350 K）基本保持不变。但是CCTO陶瓷在具有很高的低频介电常数的同时，其低频介电损耗也很高（> 0.1），会导致器件大量发热，限制了其应用。

对于降低CCTO陶瓷的低频介电损耗，目前研究者们主要采取的方法是掺杂改性和微观结构调控。例如，【Appl. Phys. Lett., 87 2005 032902】、【Appl. Phys. Lett., 87 2005 182911】、【Phys. Stat. Sol. (a), 203 2006 22】、【中国专利200710009111.9】、【J. Appl. Phys. 117 2015 094103】等。但是这些实验不是没有足够程度的降低CCTO陶瓷的低频介电损耗，就是在明显降低CCTO陶瓷的低频介电损耗的同时，也使CCTO陶瓷的低频介电常数大幅度的降低。目前，通过实验确定CCTO陶瓷的电学是不均匀的，其晶粒具有半导性，晶界具有绝缘性。基于此结果，内部阻挡层电容效应（IBLC）似乎是CCTO陶瓷高介电性质来源的最合理解释。根据IBLC效应，增加晶界电阻是一种有效的降低CCTO陶瓷在低频区间介电损耗的方法。因此，构建具有核-壳结构的钛酸铜钙基陶瓷，是增加CCTO陶瓷的晶界电阻、降低其低频介电损耗的十分有意义的尝试。

发明内容

本发明为解决目前在降低CCTO陶瓷的低频介电损耗时，CCTO陶瓷的低频介电常数大幅度的降低的技术问题，提供一种制备核-壳结构的钛酸铜钙基陶瓷的方法。

本发明是采用以下技术方案实现的：一种制备核-壳结构的钛酸铜钙基陶瓷的方法，包括如下步骤：（1）以硝酸钙、硝酸铜和钛酸四丁酯为原料，添加柠檬酸后利用溶胶-凝胶法制备CCTO粉体：首先按照CaCu₃Ti₄O₁₂的化学计量比精确称量硝酸钙、硝酸铜、钛酸四丁酯，再按照柠檬酸：阳离子=1:1.2的摩尔比称取柠檬酸，然后把上述原料充分溶解于乙醇中混合均匀，并利用硝酸将溶液的pH值调至2 ~ 3；溶液经过磁力搅拌之后，放置于80°C的恒温中，直到溶液形成胶体，然后在100°C的恒温中保温，直到胶体变为干凝胶；将干凝胶在750°C的大气中煅烧2小时，得到CCTO粉体；（2）接下来按照CCTO/xMgTiO₃的化学计量比精确称量CCTO粉体、硝酸镁和钛酸四丁酯，同时再按照柠檬酸：阳离子=1:1.2的摩尔比称取柠檬酸，并将它们置于乙醇中充分搅拌，乙醇质量为CCTO粉体、硝酸镁和钛酸四丁酯总质量的五倍，形成悬浊液，其中x=0.5或1或2；悬浊液经过磁力搅拌之后，再次放置于80°C的恒温中保温6小时，使悬浊液形成胶体，然后在100°C的恒温中保温2小时，变为干凝胶，最后在750°C的大气中煅烧2小时，得到CCTO/MgTiO₃混合粉体；（3）将粉体经过充分研磨后，在150 MPa的压强下压制成片状，然后在1080°C下烧结10小时得到CCTO/xMgTiO₃陶瓷。

进一步的，还包括步骤（4）：将CCTO/xMgTiO₃陶瓷在950°C的氧气气氛中退火2小时。

通过对CCTO陶瓷进行阻抗谱等测试，确定CCTO陶瓷的电学是不均匀的，其晶粒具有半导性，晶界具有绝缘性。基于此结果，内部阻挡层电容效应（IBLC）似乎是CCTO陶瓷高介电性质来源的最合理解释。根据IBLC效应，增加晶界电阻是一种有效的降低CCTO陶瓷在低频区间介电损耗的方法。本发明设计将具有优异绝缘性的氧化物纳米粉末包覆在CCTO陶瓷微粉的外表面，制备具有“核-壳”结构的CCTO/氧化物复合陶瓷，然后将复合陶瓷在氧气中进行退火处理，以进一步提高氧化物的氧化程度，增加氧化物的绝缘性，提高复合陶瓷的晶界电阻。