[发明专利]一种用于运算放大器的密勒补偿电路及运算放大器在审
| 申请号： | 201710394927.1 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN107196616A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 运算放大器 补偿 电路 | ||
1.一种用于运算放大器的密勒补偿电路，其特征在于，包括：第一电容C1、第二电容C2和第一电阻R1；第二电容C2、第一电阻R1、第一电容C1依次串联构成弥勒补偿电路。
2.一种运算放大器，包括第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3；第一NMOS晶体管N1的栅极接运算放大器的第一输入端Uin1，源极接第二NMOS晶体管N2的源极和第三NMOS晶体管N3的漏极，漏极接第一PMOS晶体管P1的栅极和漏极；第二NMOS晶体管N2的栅极接运算放大器的第二输入端Uin2，漏极接第二PMOS晶体管P2的漏极和第三PMOS晶体管的栅极；第一PMOS晶体管P1的源极接电源；第二PMOS晶体管的源极接电源，第二PMOS晶体管P2的栅极与第一PMOS晶体管P1的栅极相连；第三NMOS晶体管N3的栅极接运算放大器的偏置电流输入端BIAS，源极接地；第三PMOS晶体管P3的源极接电源，漏极接运算放大器的输出端Uout；第四NMOS晶体管N4的栅极接运算放大器的偏置电流输入端BIAS，源极接地，漏极接运算放大器的输出端Uout；其特征在于，该运算放大器还包括如权利要求1所述的弥勒补偿电路，所述弥勒补偿电路中第二电容C2的一端接第二NMOS管N2的漏极输出，第一电容C1的一端接运算放大器的输出端Uout。
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