[发明专利]一种浸渍石墨浆及其制备方法在审
申请号: | 201710369511.4 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN108962607A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 杨康;庞锦标;郭明亚;敬通国;韩玉成 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团云科电子有限公司 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 550000 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨浆 浸渍 溶剂 制备 导电粒子 稀释 聚合物树脂 溶解聚合物 质量百分比 轧制 接触界面 树脂载体 钽电容器 石墨层 称量 搭接 电阻 配比 细度 银层 预设 | ||
本发明公开了一种浸渍石墨浆及其制备方法,所述浸渍石墨浆,以质量百分比计,原料包括以下组分:导电粒子4~16%;聚合物树脂载体6~20%;溶剂71~89%;助剂1~5%。所述制备方法包括以下步骤:(1)按照预设配比,称量好各组分,然后将溶剂总重量的1/3用来溶解聚合物树脂载体,并在100~300rpm/min搅拌的条件下逐渐加入导电粒子,搅拌混合均匀后制得初级石墨浆;(2)将初级石墨浆轧制,使得细度小于5μm,最后将剩余的2/3溶剂对初级石墨浆进行稀释,稀释至粘度为300~1000cp,得到所述浸渍石墨浆。本发明使得银层与石墨层搭接良好、接触界面电阻小,从而大幅度降低钽电容器的ESR。
技术领域
本发明属于电子器件技术领域,具体涉及一种浸渍石墨浆及其制备方法。
背景技术
自从钽电容器被发现以来,其一直是电子行业中应用最为广泛的基础元器件之一,在各种类型的电子电路中获得广泛的应用。在1955年,美国贝尔实验室的麦考林(D.McLean)和鲍尔(F.Power)成功开发出业界第一颗固体电解质钽电容器,是以二氧化锰为电解质,不但克服了液态电解质“干化”的问题,而且还极大提高了其稳定特性和频率特性,为钽电容器日后的商业应用奠定了坚实的基础。
钽电容器因其本身具有大容量、低漏电流、长寿命、小型化、低损耗、稳定性好等优良特点,使得其无论在电话、彩电、冰箱、摄录像机、数码相机、程控交换机、计算机等民用领域还是在航空、航天、导弹、卫星、雷达等国防领域都获得广泛的应用,尤其是在国防领域的应用加快了钽电容器的发展,迈入了新的台阶。
ESR(Equivalent series Resistance)即等效串联电阻,ESR=Ra+Rb+Rc,其中Ra是与五氧化二钽介质氧化膜有关的损耗它由五氧化二钽膜的电阻以及膜与MnO2的接触电阻,Rb是钽块内部MnO2的电阻,Rc是钽块外表MnO2及导电石墨乳、聚合物银浆等的电阻以及相互之间的接触电阻。随着电子技术及电子元器件的发展,低功耗和高速处理是现代电子设备的发展方向,对钽电容器性能提出了更高的要求,其中低ESR钽电容器就是一个研究热门。
国内外电容器的生产厂家对降低电容器的ESR(等效串联电阻)都做了大量的研究,但相比国外电容器厂家,国内研究较晚、发展速度慢,锰系低ESR钽电容器的ESR值基本在40mΩ以上。国外的低ESR钽电容器则已经达到较好的水平,例如:AVX公司推出低ESR值的片式钽电容器系列“TPS Series III”;Vishay公司也推出最小壳号0603型低ESR值的片式钽电容器“MicroTan-TR8”系列,产品的ESR值低至25mΩ左右。但是,低ESR钽电容器在降低ESR方面仍然还存在许多不足之处,仍需进一步完善。所以,最大限度的减少钽电容器的ESR是目前国内外钽电容器制造业重点研究项目之一,具有重大的意义。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种浸渍石墨浆,使得银层与石墨层搭接良好、接触界面电阻小,从而大幅度降低钽电容器的ESR。
本发明的技术方案为:一种浸渍石墨浆,以质量百分比计,原料包括以下组分:
作为优选,所述导电粒子包括石墨和炭黑,所述石墨和炭黑的质量比为1:0.3~1:0.7。
作为优选,所述聚合物树脂载体为丙烯酸树脂、环氧树脂以及氟橡胶中的一种或多种。
作为优选,所述溶剂为柠檬酸三丁酯、醋酸丁酯、辛酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸正戊酯、乙二醇丁醚、乙二醇丁醚醋酸酯、聚酰胺蜡、钛酸四乙酯、松油醇、丁基卡必醇醋酸酯、乙酰乙酸乙酯以及甲基咪唑中的一种或多种。
作为优选,所述助剂包括分散剂、防沉降剂、消泡剂以及附着力促进剂中的一种或多种。
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