[发明专利]射频发生器干净干燥空气吹净在审
申请号: | 201710347524.1 | 申请日: | 2017-05-17 |
公开(公告)号: | CN108939834A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 袁德宝 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | B01D53/26 | 分类号: | B01D53/26;B01D53/30;G05D27/02;B08B5/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射频发生器 干燥空气 控制器 保护组件 干燥器 半导体器件 控制器控制 吹净 配置 评估 | ||
本公开的实施方式总体涉及射频发生器保护,包括:射频发生器保护组件、用于控制射频发生器的周围环境的方法、以及具有射频发生器的半导体器件。在一个实施方式中,射频发生器保护组件包括控制器和干净干燥空气干燥器,控制器被配置为评估射频发生器的局部周围环境,干净干燥空气干燥器耦接到控制器并且受到控制器控制以提供干净干燥空气来调节射频发生器的局部周围环境。
技术领域
本公开涉及干净干燥空气吹净。更具体来说,本公开涉及用于射频发生器的干净干燥空气吹净。
背景技术
等离子体处理系统已广泛地用于半导体、集成电路、显示器和其他电子装置的制造和处理中,用于通过使用等离子体在基板上实施(例如)蚀刻工艺和成膜工艺,诸如化学气相沉积工艺。在一些等离子体处理系统中,用于供应高频功率的射频(RF)发生器可能涉及在等离子体处理腔室中的电极之间产生RF电场。
RF发生器典型地包括用于在RF发生器操作时提供高频功率输出的RF输出。这种RF发生器是一种精密装置并且通常受到某些操作规格的限制来正常和安全地运行。在RF发生器的操作期间,经常需要强制冷却以去除由RF发生器所产生的热量。然而,当RF发生器无法检测到RF发生器周围的可能突然变化的环境或操作危害时,或者当RF发生器即使知道也完全无法保卫自己免于这些危害时,这些危害仍会损坏RF发生器。
RF发生器需要更好且可靠的保护,而具有RF发生器的等离子体处理系统也是如此。
发明内容
本公开的一个实施方式涉及一种RF发生器保护组件,RF发生器保护组件包括控制器和干净干燥空气(CDA)干燥器,控制器被配置为评估RF发生器的局部周围环境,CDA干燥器耦接到控制器并且受到控制器控制以提供CDA来调节RF发生器的局部周围环境。
在另一实施方式中,提供一种用于控制RF发生器的周围环境的方法。方法包括:通过传感器来感测RF发生器的局部周围环境、通过控制器从传感器接收局部周围环境的信号、以及基于接收到的信号来提供CDA以调节RF发生器的局部周围环境。
在另一个实施方式中,提供一种具有RF发生器的半导体器件。半导体器件包括RF发生器及CDA干燥器,RF发生器具有局部周围环境控制器,CDA干燥器耦接到局部周围环境控制器并且被配置为提供CDA以调节在半导体器件中的RF发生器的局部周围环境。
实施方式可以包括以下特征中的一或多个。
RF发生器保护组件进一步包括传感器,传感器耦接到控制器并且被配置为感测局部周围环境和将环境信号传送到控制器。传送到控制器的环境信号包括温度相关参数、湿度相关参数、或这两者。根据启发式算法将参数与存储在控制器中的预定值进行比较,以便控制CDA干燥器。启发式算法包括可靠且有效的测试。存储在控制器中的预定值包括可操作用于RF发生器的参数的下限和上限。CDA干燥器通过基于参数来启用或停用CDA干燥器而由控制器控制。CDA干燥器包括CDA源和阀,CDA源被配置为供应CDA,阀连接到CDA源并且被配置为从CDA源引导CDA。将来自CDA源的干燥空气引导向RF发生器的进气口。通过启用CDA干燥器的阀,来调节RF发生器的局部周围环境。
用于控制RF发生器的周围环境的方法进一步包括基于接收到的信号来关闭RF发生器。局部周围环境的信号包括温度相关参数、湿度相关参数、或这两者。基于接收到的信号来提供CDA以调节局部周围环境包括:根据启发式算法通过控制器将接收到的信号与预定值进行比较,以及根据比较结果将CDA供应到RF发生器。基于接收到的信号来提供CDA以调节局部周围环境包括启用或停用连接到CDA源的CDA干燥器。基于接收到的信号来提供CDA以调节局部周围环境包括:从CDA源供应CDA,以及将被供应的CDA引导向RF发生器的进气口。通过调整阀来进行将被供应的CDA引导向RF发生器的进气口。
对于具有RF发生器的半导体器件,CDA干燥器包括耦接到半导体器件外的CDA源的阀。局部周围环境控制器被配置为基于RF发生器的局部周围环境来终止半导体器件的操作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710347524.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。