[发明专利]共晶组织超高温ZrB2 有效
申请号: | 201710335770.5 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107235731B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 胡春峰;朱德贵;张海文;刘云龙;周加敏 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/645 |
代理公司: | 成都盈信专利代理事务所(普通合伙) 51245 | 代理人: | 张澎 |
地址: | 610031 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组织 超高温 zrb base sub | ||
本发明公开了一种共晶组织超高温ZrB2‑SiC复相陶瓷及制备方法,将定向凝固的ZrB2‑SiC复合材料通过机械研磨获得的粉末作为初始的粉末,机械混匀后利用等离子放电烧结制备出复合材料,烧结的温度为1500‑2000℃,烧结压力为10‑100MPa,烧结时间为1‑100min。本发明与经热压烧结和热等静压烧结制备的ZrB2‑SiC复合材料相比,具有明显的结晶组织,良好的力学性能,低的烧结温度且不需要添加烧结助剂,低的成本,可满足高温高强度领域的应用需求,可满足工业规模化生产的要求。
技术领域
本发明涉及具有共晶组织的超高温陶瓷及其制备方法,具体为一种制备具有共晶组织的超高温的ZrB2-SiC复合材料的方法。
背景技术
ZrB2为六方晶系C32型准金属结构化合物。在ZrB2的晶体结构中B- 离子外层有四个电子,每个B-与另外三个B-以共价σ键相连接,形成六方形的平面网状结构;多余的一个电子则形成空间的离域大π键结构。B-离子和Zr2+离子由于静电作用,形成离子键。晶体结构中硼原子面和锆原子面交替出现构成二维网状结构,这种类似于石墨结构的硼原子层状结构和锆原子层状结构决定了ZrB2具有良好的导电导热性能和金属光泽。而硼原子面和锆原子面之间的Zr—B键以及B—B共价键的强键性则决定了ZrB2 的高熔点、高硬度和化学稳定性,根据其性能它的应用方向如下:
1.耐高温性:二硼化锆具有很高的熔点,其熔点为3040℃。同时在较高的温度下也能够维持较高的强度,被广泛的应用在高温航空件上。
2.良好的导电性:二硼化锆涂层具有防静电性,而且广泛应用于防静电涂层材料中。涂层的导电性随着导电填料(二硼化锆)的增加而增强,这主要是利用ZrB2优良的导电性,增强复合材料的导电能力。同时ZrB2电极材料能在等离子体中得到应用,在高能流的等离子体电火花中有很高的热稳定性和耐磨性。
3.高的硬度:硼化锆陶瓷具有很高的硬度,高达23GPa,即使在较高的温度下也可以很好的保持较高的稳定性,因此硼化锆陶瓷可以被用作切削材料。
4.较高的热导率:致密硼化锆陶瓷的热导率可以达到25W·m-1·K-1,接近于不锈钢。且材料的热导率随温度变化不大。因此,它可以用做井下防爆电机的绝缘散热片、高温热电偶的保护套管。
为了弥补单一相陶瓷材料的某些缺陷,人们对材料的研究从单一性转向了复合性,利用材料各自优点实现优势互补,制备综合性能良好的复合材料。以ZrB2为基体的材料,为了弥补其强度不高、韧性不足、高温下抗氧化性能不好的缺陷,往往在基体材料中引入第二相颗粒,一般主要是SiC 以及MoSi2等材料。文章(Composites:Part B,54,307–312(2013)) 先通过凝胶注模成型然后无压烧结到1950℃保温2h,得到断裂韧性和维氏硬度分别为4.13±0.45MPa·m1/2和14.1±0.5GPa。文章(Journal of the European CeramicSociety,27,2729-2736(2007))中指出利用反应热压烧结工艺,烧结温度在1600-1900℃之间,烧结压力为30MPa,得到较好的力学性能。传统的热压、无压烧结工艺虽然能够得到较好的力学性能,但是其烧结时间较长,成本较高。另外由于ZrB2和SiC的熔点很高,单纯利用热压、无压以及其他方式在其熔点以下烧结得不到具有共晶组织的材料,其耐高温性也就得不到进一步提升。
发明内容
鉴于现有技术的以上不足,本发明的目的在于制备具有共晶组织的超高温的ZrB2-SiC复合材料,制备的材料具有良好的硬度和较高的致密度。
本发明的技术方案是:
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