[发明专利]SIM卡保护方法、装置及电子设备

说明书

本发明提供一种SIM卡保护方法、装置及电子设备，所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托，所述方法包括：检测所述SD卡的当前工作模式；根据所述SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值。本发明能够降低一体式卡托插拔过程中SIM卡的损坏风险。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种SIM卡保护方法、装置及电子设备。

背景技术

随着通信技术的发展，很多手机厂家将SIM卡和SD卡设计在一体式卡托上，如图1所示，对应于一体式卡托的卡座上的VDDSD引脚和GND引脚是SD卡的供电引脚，在插拔SIM卡过程中，如在开机过程中插入一体式卡托，此时由于VDDSD引脚带电，VDDSD引脚和GND引脚可能通过SIM卡的两个引脚形成回路从而导致SIM卡损坏。为了避免这种情况，有必要对SIM卡进行适当的保护。

发明内容

本发明提供的SIM卡保护方法、装置及电子设备，能够降低一体式卡托插拔过程中SIM卡的损坏风险。

第一方面，本发明提供一种SIM卡保护方法，所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托，包括：

检测所述SD卡的当前工作模式；

根据所述SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值。

可选地，所述SD卡的当前工作模式包括SDR12、SDR25、DDR50、SDR50或SDR104。

可选地，所述根据所述SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值包括：

当所述SD卡的当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50或SDR50时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第一阈值；

当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第二阈值。

可选地，所述第一阈值为500mA。

可选地，所述第二阈值为900mA。

第二方面，本发明提供一种SIM卡保护装置，所述SIM卡与SD卡位于一体式卡托，包括：

检测单元，用于检测所述SD卡的当前工作模式；

阈值设置单元，用于根据所述检测单元检测到的SD卡的当前工作模式，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值。

可选地，所述SD卡的当前工作模式包括SDR12、SDR25、DDR50、SDR50或SDR104。

可选地，所述阈值设置单元，用于当所述SD卡的当前工作模式为SDR12、SDR25、DDR50或SDR50时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第一阈值；

所述阈值设置单元，还用于当所述SD卡的当前工作模式为SDR104时，设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值为第二阈值。

可选地，所述第一阈值为500mA。

可选地，所述第二阈值为900mA。

第三方面，本发明提供一种电子设备，所述电子设备包括上述SIM卡保护装置。

本发明提供的SIM卡保护方法、装置及电子设备，适用于SIM卡和SD卡位于一体式卡托，先检测所述SD卡的当前工作模式，然后根据所述SD卡的当前工作模式设置所述SD卡的供电模块的过流保护阈值，能够在满足SD卡的供电需求的同时灵活设置LDO的过流保护阈值，一旦超过保护阈值马上关闭LDO的输出，从而可以降低插拔过程中SIM卡的损坏风险，进一步地，本发明不需要增加外围电路，结构简单。

附图说明