[发明专利]一种采用单能电子束模拟空间能谱环境的方法在审

专利信息
申请号: 201710310801.1 申请日: 2017-05-05
公开(公告)号: CN107219414A 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 陈益峰;秦晓刚;杨生胜;史亮;王俊;柳青;汤道坦;李得天 申请(专利权)人: 兰州空间技术物理研究所
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 北京理工大学专利中心11120 代理人: 温子云,仇蕾安
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 采用 电子束 模拟 空间 环境 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于GEO轨道卫星充放电效应模拟试验技术领域,具体涉及一种采用单能电子束模拟空间能谱环境的方法。

背景技术

空间等离子体环境和航天器表面材料的相互作用将产生表面充放电效应,诱发的静电放电将导致电磁干扰,表面材料性能衰退、敏感元件的失效等危害。国内外一直都在积极研究影响等离子体与航天器相互作用的模拟试验技术,使用低温等离子体源模拟空间低轨道等离子体环境,或使用电子枪模拟地球同步轨道(GEO)的等离子体环境。

空间等离子体的能量和密度分布范围很广,尤其在GEO轨道,其等离子体环境非常复杂,并受太阳风影响很大,粒子能量范围很宽,几乎涉及所有能量的等离子体,粒子的能谱也不完全一样;在不同的地磁活动条件下,其构成区域也不完全相同,在地磁宁静时,该区域充满冷等离子体(E≤10eV),发生地磁暴时有大量热等离子体(E>10eV,最高可达100keV)进入此区域。

针对GEO轨道的等离子体特性,国内外都是采用基于等离子体的单麦克斯韦或双麦克斯韦分布函数进行表征。然而在地面模拟试验中,希望采用电子枪模拟空间等离子体能谱的分布特性,但是由于电子枪只能产生单能的电子束,因此无法准确模拟空间等离子体能谱的分布特性,导致地面模拟试验的准确度降低。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种采用单能电子束模拟空间能谱环境的方法,适用于GEO轨道卫星充放电效应模拟试验,该方法能够提高单能电子束模拟空间等离子体环境的准确性,保证地面模拟试验的准确度。

为解决上述技术问题,本发明具体方法如下:

一种采用单能电子束模拟空间能谱环境的方法,包括:

步骤一、确定GEO轨道空间等离子体分布函数f(v),以及该分布函数的速度要素;

步骤二、分别建立单能电子束和等离子体的表征参数与所述速度要素的表达关系;

步骤三、以速度要素相同为匹配目标,根据所要模拟的空间能谱环境的等离子体表征参数值,建立匹配方程,通过解方程获得用于模拟空间能谱环境的单能电子束的密度和速度,进而转化为单能电子束的能量和束流密度。

优选地,定义GEO轨道空间等离子体分布函数的速度要素为M0、M1、M2、M3

其中,K=0,1,2,3,v为等离子体的速度;

所述单能电子束的表征参数为密度nb和速度vb,等离子体的表征参数为给定粒子类型的密度<N>、粒子束流<NF>,束流压力<P>和能量束流<EF>;

则单能电子束的表征参数与4个速度要素的表达关系为:

M0=nb

M1=vbnb

则等离子体的表征参数与4个速度要素的表达关系为:

M0=<N>=n

式中k为玻尔兹曼常数,T为等离子体的粒子温度,m为等离子体的粒子质量,n为等离子体的粒子密度。

优选地,对于1个单能电子束模拟等离子体的情况:

nb=n

其中,TAV为等离子体的平均温度:

优选地,对于1个单能电子束模拟等离子体的情况:

其中,TRMS为等离子体的均方根温度,<v>为等离子体的平均速度;

优选地,对于2个单能电子束模拟等离子体的情况:

式中v1取“+”号,v2取“-”号。

n2=n-n1

其中,v1和v2分别为2个单能电子束的速度,n1和n2分别为2个单能电子束的密度;TAV为等离子体的平均温度,TRMS为等离子体的均方根温度,<v>为等离子体的平均速度:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州空间技术物理研究所,未经兰州空间技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710310801.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top