[发明专利]一种传输门电路

说明书

本发明属于集成电路技术领域，具体的说是涉及一种传输门电路。本发明的电路相对于传统的模拟开关电路，本发明的技术方案中设计了衬底电位控制电路，当模拟开关电路导通时使其衬底电位可以跟随最高输入信号，减弱了衬偏效应。当模拟开关电路关闭时，又可以增强衬偏效应。本发明的有益效果是：本发明可以减小模拟开关导通电阻和导通电阻平坦度；还可以使模拟开关电路可以工作在更低工作电压下；另外还可以增大模拟开关的关断电阻，减小信号之间的串扰。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体的说是涉及模拟开关电路技术，更具体的说是涉及一种传输门电路。

背景技术

在电路中涉及到模拟信号切换的领域，模拟开关是一种常用的电路。模拟开关电路可以极大的提高电路设计的灵活性。传统的模拟开关电路通常由两个MOS管组成。其中PMOS的衬底接最高电位VDD，而NMOS的衬底接最低电位VSS。这种结构的模拟开关电路有很大缺陷：当输入的信号处于中间电位(VDD/2)时，由于衬底和源极电压变大，衬偏效应变得很严重。因此会加大模拟开关的电阻，此外电阻的平坦度也变得很差。

发明内容

本发明的目的是为了解决传统模拟开关电路由于衬偏效应引起的在低电压情况下引起的电阻偏大甚至无法传输完整的信号的问题，提出一种新型的模拟开关结构。

本发明的技术方案是：如图3所示，一种传输门电路，包括控制电路模块和模拟开关电路模块，所述控制电路模块用于控制模拟开关电路模块中模拟开关的导通和关闭；其特征在于，所述模拟开关电路模块由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4组成；其中，

第一PMOS管MP1的栅极接第一控制信号，第一PMOS管MP1的源接和衬底接电源VDD；

第二PMOS管MP2的栅极、第三PMOS管MP3的栅极和第四PMOS管MP4的栅极接第二控制信号；第二PMOS管MP2的源极和衬底、第三PMOS管MP3的源极和衬底以及第四PMOS管MP4的衬底接第一PMOS管MP1的漏极；

第二NMOS管MN2的栅极、第三NMOS管MN3的栅极和第四NMOS管MN4的栅极接第三控制信号；第二NMOS管的源极和衬底、第三NMOS管的源极和衬底接第四NMOS管MN4的衬底；

第一NMOS管MN1的栅极接第四控制信号，其源极和衬底接地VSS，其漏极接第四NMOS 管MN4的衬底；

第二PMOS管MP2漏极、第四PMOS管MP4漏极、第四NMOS管MN4源极和第二NMOS管MN2漏极 的连接点接第一输入输出信号端口；

第三PMOS管MP3漏极、第四PMOS管MP4源极、第四NMOS管MN4漏极和第三NMOS管MN3漏极的连接点接第二输入输出信号端口；

所述第一控制信号、第二控制信号、第三控制信号和第四控制信号由控制电路模块产生，用于控制与其相连的MOS管的开闭。

相对于传统的模拟开关电路，本发明的技术方案中设计了衬底电位控制电路，当模拟开关电路导通时使其衬底电位可以跟随最高输入信号，减弱了衬偏效应。当模拟开关电路关闭时，又可以增强衬偏效应。

本发明的有益效果是：本发明可以减小模拟开关导通电阻和导通电阻平坦度；还可以使模拟开关电路可以工作在更低工作电压下；另外还可以增大模拟开关的关断电阻，减小信号之间的串扰。

附图说明

图1为本发明的电路框图；

图2为传统的模拟开关电路结构；

图3为本发明的模拟开关的结构示意图；

图4位本发明的控制时序要求。