[发明专利]一种苗木的种植培育方法

权利要求书

1.一种苗木的种植培育方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）挖坑：搭建塑料暖棚，在暖棚内挖沟，所述沟包括深沟和浅沟，且深沟和浅沟间隔平行且间隔排列，向深沟底部铺设一层农家肥，并在农家肥上掩埋一层隔肥土壤，隔肥土壤厚度为3~5cm且保证将农家肥完全掩埋；

（2）苗木的处理：将需要移栽的苗木根部在添加有生根剂的水中静置浸泡2~3小时；

（3）移栽：将育苗轻轻放置于深沟中的隔肥土壤上部，并将土壤部分回填，回填土壤上表面距离深沟边沿3~5cm，在回填土壤上部铺设一层草木灰，继续将剩下的土壤进行再次回填，直至填满深沟；

（4）第一次浇水：向浅沟内浇水；

（5）日常管理：保持塑料暖棚内温度在10~25℃，每天中午打开塑料暖棚两端出口1~2小时通风，当苗木开始长出新芽后，每天中午打开塑料暖棚两端出口3~4小时通风，当苗木开始展叶时，每天白天打开塑料暖棚保持通风，晚上盖上塑料暖棚，当苗木展叶后，除去塑料暖棚；

（6）后期肥水管理和害虫防治：定期给苗木施肥和浇水，化学肥料应溶解在水中，并在傍晚时泼洒至浅沟内，定期全面检查苗木害虫情况，避免苗木被害虫侵害。

2.根据权利要求1所述的一种苗木的种植培育方法，其特征在于，所述深沟深度为15~30cm，浅沟深度为10~15cm。

3.根据权利要求1所述的一种苗木的种植培育方法，其特征在于，所述浸泡苗木根部的生根剂浓度为1%。