[发明专利]薄膜晶体管显示面板的制造方法在审

专利信息
申请号: 201710199043.0 申请日: 2017-03-29
公开(公告)号: CN106802506A 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 肇庆端州湖水机电科技有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 526020 广东省肇庆市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 显示 面板 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

A、形成彩膜基板;

B、形成薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括第二基板、扫描线组合、第一绝缘层、数据线组合、第二绝缘层、像素、第二配向膜层,所述像素包括薄膜晶体管开关和像素电极;

C、将所述彩膜基板、所述薄膜晶体管阵列基板叠加组合为一体;

D、将液晶层设置于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间;

E、在所述彩膜基板背向所述液晶层的一面和所述薄膜晶体管阵列基板背向所述液晶层的一面分别设置第一偏光板和第二偏光板;

F、形成所述背光模组;

G、将所述背光模组设置在所述第二偏光板背向所述薄膜晶体管阵列基板的一面;

所述步骤B包括:

b1、在所述第二基板上设置所述扫描线组合,所述扫描线组合包括至少两扫描线;

b2、在所述第二基板上设置所述薄膜晶体管开关,所述薄膜晶体管开关包括栅极、半导体层、源极、漏极,所述栅极设置在所述第二基板上,所述栅极与所述扫描线相连,所述半导体层包括非晶硅、多晶硅、铟镓锌氧化物中的至少一种,所述薄膜晶体管开关的结构为顶栅结构或底栅结构,相邻两个所述像素的所述薄膜晶体管开关的结构分别为顶栅结构、底栅结构;

b3、在所述第二基板上设置所述数据线组合,所述数据线组合包括至少两数据线;

b4、在所述第二基板上设置所述像素电极;

b5、在所述第二基板上设置所述第二配向膜层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法,其特征在于,在所述薄膜晶体管开关的结构为顶栅结构的情况下,在垂直于所述第二基板并且自所述第二基板指向所述像素电极的方向上,所述栅极所在的层别位于所述源极和/或所述漏极所在的层别的上方。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法,其特征在于,在所述薄膜晶体管开关的结构为底栅结构的情况下,在垂直于所述第二基板并且自所述第二基板指向所述像素电极的方向上,所述栅极所在的层别位于所述源极和/或所述漏极所在的层别的下方。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法,其特征在于,所述步骤B还包括:

b6、将时序控制器与扫描驱动器和数据驱动器电性连接;

b7、将所述扫描驱动器和所述数据驱动器与所述薄膜晶体管阵列基板电性连接。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法,其特征在于,所述扫描驱动器包括第一驱动芯片组合、第一控制芯片,所述第一驱动芯片组合包括至少两第一驱动芯片,所述第一驱动芯片与所述第一控制芯片电性连接,所述第一驱动芯片用于生成扫描信号;

所述步骤B还包括:

b8、将所述扫描线与所述第一驱动芯片电性连接;

b9、将所述第一控制芯片与所述时序控制器电性连接。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法,其特征在于,所述数据驱动器包括第二驱动芯片组合、第二控制芯片;所述第二驱动芯片组合包括至少两第二驱动芯片,所述第二驱动芯片用于生成数据信号,所述第二驱动芯片与所述第二控制芯片电性连接;

所述步骤B还包括:

b10、将所述数据线与所述第二驱动芯片电性连接;

b11、将所述第二控制芯片与所述时序控制器电性连接。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板包括像素行组合,所述像素行组合包括至少两像素行,所述像素行包括至少两像素。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法,其特征在于,所述扫描线与所述像素行中的所述像素电性连接。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括像素列组合,所述像素列组合包括至少两像素列,所述像素列包括至少两所述像素。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法,其特征在于,所述数据线与所述数据列中的所述像素电性连接。

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