[发明专利]航天器电位自主控制膜结构

权利要求书

1.航天器电位自主控制膜结构，基于碳纳米管的场致发射性能制成，所述控制膜结构由三部分组成，基板为金属膜，金属膜厚度在100微米至5mm之间，粘贴或压紧在金属膜上的电子发射层，电子发射层为碳纳米管浆料涂覆层或碳纳米管纸，其中，碳纳米管浆料涂覆层或的厚度在50nm-1mm之间，碳纳米管纸的厚度为50微米-150微米，电子发射层上设置有聚合物膜，聚合物膜为多孔膜，孔的边长在100nm-1mm之间，孔的间距在1μm-1mm之间，聚合物膜厚度在1μm-1mm之间, 其中，聚合物膜为聚酰亚胺材料或含氟聚合物材料,含氟聚合物材料聚合物表面镀有ITO膜。

2.如权利要求1所述的航天器电位自主控制膜结构，其中，所述金属膜的厚度在200微米至500微米之间，碳纳米管浆料涂覆层的厚度在100nm-500nm之间。

3.如权利要求1所述的航天器电位自主控制膜结构，其中，所述金属膜的厚度在300微米到450微米之间，聚合物膜的厚度在10μm-1mm之间。

4.如权利要求1-3任一项所述的航天器电位自主控制膜结构，其中，中间孔为方形、圆形和/或三角形。

5.如权利要求1-3任一项所述的航天器电位自主控制膜结构，其中，金属膜选用铜箔或者铝箔。

6.如权利要求1-3任一项所述的航天器电位自主控制膜结构，其中，碳纳米管浆料涂覆层由碳纳米管浆料涂覆而成，所述碳纳米管浆料为单壁碳纳米管或多壁碳纳米管与银浆料的混合物，碳纳米管含量在1%-50%之间。

7.如权利要求1-3任一项所述的航天器电位自主控制膜结构，其中，含氟聚合物材料为聚四氟乙烯。

8.如权利要求1-3任一项所述的航天器电位自主控制膜结构，其中，电位自主控制膜的面积1mm²-1m²。