[发明专利]一种超柔低阻透明导电膜及其制备方法

说明书

本发明涉及一种导电材料，尤其涉及一种导电薄膜的制备技术，具体涉及一种超柔低阻透明导电膜及其制备方法。为了解决现有透明导电膜的表面电阻和透光率的综合性能较差的问题，本发明提供一种透明导电膜。所述导电膜包括透明基材，导电网络层，硬化胶保护层；所述透明基材层上涂布有导电网络层，所述导电网络层上涂布有硬化胶保护层；所述导电网络层包括纳米银线和银纳米粒子。该透明导电膜采用纳米银线和银纳米粒子形成导电网络层。该透明导电膜具有较低的方阻及较高的透光率，综合性能较好。

技术领域

本发明涉及一种导电材料，尤其涉及一种导电薄膜的制备技术，具体涉及一种超柔低阻透明导电膜及其制备方法。

技术背景

透明导电薄膜(简称透明导电膜)是一种既能导电又在可见光范围内具有高透光率的导电材料，在触摸屏、平面显示器、太阳能电池、发光二极管等领域有着广泛的应用。

作为纳米材料的典型代表，纳米银线(下面简称为：AgNW)透明导电薄膜由于在电学、光学和机械性能方面都有良好的特性，在近几年引起了科研工作者的广泛关注。用AgNW制备的透明导电薄膜，不仅具有可见光透过率高、表面电阻低、表面平整光滑、柔性好等优点，而且相对于现在广泛使用的ITO薄膜价格较为低廉。

但是，目前制备AgNW透明导电膜的方法较为繁琐，且为了降低AgNW透明导电膜的表面面阻，通常通过增加AgNW层的厚度来达到，这样做必然会牺牲导电膜的透光率(即可见光透过率)，增加导电膜的雾度，从而降低导电膜的综合效果。也有采用导电高分子取代常规树脂作为保护层的，这样做必然会较大程度的增加成本，而使AgNW透明导电膜失去成本优势。

如公布号为CN 104134484 A，公布日为2014年11月5日，发明名称为“基于纳米银线的柔性透明导电薄膜及制备方法”的中国专利申请所述的AgNW透明导电膜，其通过依次涂布纳米银线层、纳米粒子层、光学胶层制得，虽然所得到的AgNW透明导电膜的耐屈挠性非常优异，导电膜经多次弯折后，表面电阻的变化率不超过0.5％，但是，所制得的透明导电膜的光透过率(简称透光率)相对较低，这样的透过率会极大的影响导电膜在后续制程中的应用。

又如中国专利CN 205334442 U，公告日2016年6月22日，发明名称为“一种复合型纳米银线柔性透明导电电极结构”所述的AgNW透明导电膜，为了不影响导电膜的表面电阻，其采用价格昂贵的导电高分子作为粘结保护胶。虽然从相对表面电阻来说，其阻值会相对较低，但是，导电高分子的反应活性、交联程度等众多性能均不如常规树脂优异，采用导电高分子，除了微弱的降低表面电阻以外并不能带来更多的优异效果。

发明内容

为了解决现有透明导电膜的表面电阻和透光率的综合性能较差的问题，本发明提供一种透明导电膜。该透明导电膜采用纳米银线和银纳米粒子形成导电网络层。该透明导电膜具有较低的方阻及较高的透光率，综合性能较好。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种透明导电膜，所述导电膜包括透明基材，导电网络层，硬化胶保护层；所述透明基材层上涂布有导电网络层，所述导电网络层上涂布有硬化胶保护层；所述导电网络层包括纳米银线和银纳米粒子(也称为纳米银粒子)。

进一步的，所述纳米银线和银纳米粒子形成导电网络层。所述导电网络层具有导电的功能。

进一步的，所述透明基材(或称基膜)选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基材(也称为基膜)、或聚碳酸酯(PC)基膜。

进一步的，所述透明基材的厚度是50-250微米。

进一步的，在所述的透明导电膜中，所述导电网络层的原料包括纳米银线浆料30-70％，纳米银颗粒浆料(简称纳米银浆料)30-70％，所述百分含量是重量百分含量。或者说，所述导电网络层的原料包括纳米银线浆料和纳米银颗粒浆料，所述纳米银线浆料和纳米银颗粒浆料的重量配比是3-7:7-3，配比之和为10。