[发明专利]大电流无磁芯EMC滤波器

权利要求书

1.一种大电流无磁芯EMC滤波器，其特征在于，包括X电容（C1，C2，C3）、电路端子、穿心容性低频共模纹波吸收器和/或穿心容性高频吸收器，所述电路端子包括第一输入端子（A）、第二输入端子（B）、第一输出端子（C）和第二输出端子（D），所述穿心容性低频共模纹波吸收器（M1）和/或穿心容性高频纹波吸收器（M2）串接在所述第一输入端子（A）和第二输入端子（C）之间，所述X电容并联接入电路。

2.根据权利要求1所述的大电流无磁芯EMC滤波器，其特征在于，所述穿心容性低频共模纹波吸收器（M1）包括共模连接端子（X，Y，Z）、共模金属薄膜介质(a，b)，所述共模金属薄膜介质(a，b)包括共模第一金属薄膜介质(a)和共模第二金属薄膜介质(b)，所述共模连接端子（X，Y，Z）包括两共模大电流铜排端子（X，Y）和一接地端子（Z），两所述共模大电流铜排端子（X，Y）之间设所述共模第一金属薄膜介质(a)，所述接地端子（Z）与所述共模第二金属薄膜介质(b)导通，所述共模第一金属薄膜介质(a)和共模第二金属薄膜介质(b)平行设置构成一电容器，所述接地端子（Z）进行接地连接。

3.根据权利要求2所述的大电流无磁芯EMC滤波器，其特征在于，所述穿心容性高频吸收器（M2）包括高频连接端子（X '，Y '）和高频金属薄膜介质(p，q)，所述高频金属薄膜介质(p，q)为绕制在所述高频连接端子（X '，Y '）上的金属薄膜介质，所述高频金属薄膜介质(p，q)构成等效电容，所述高频连接端子（X '，Y '）的铜排之间构成等效电感和等效电阻。

4.根据权利要求1～3任一项所述的大电流无磁芯EMC滤波器，其特征在于，所述大电流无磁芯EMC滤波器采用级联模式连接。

5.根据权利要求4所述的大电流无磁芯EMC滤波器，其特征在于，并联接入电路的所述X电容数量为3个。

6.根据权利要求4所述的大电流无磁芯EMC滤波器，其特征在于，并联接入电路的所述X电容数量为2个。

7.根据权利要求4所述的大电流无磁芯EMC滤波器，其特征在于，并联接入电路的所述X电容数量为1个。

8.根据权利要求8所述的大电流无磁芯EMC滤波器 ，其特征在于，电路中不使用所述X电容。