[发明专利]触摸屏的制造工艺在审

专利信息
申请号: 201710157512.2 申请日: 2017-03-16
公开(公告)号: CN106997250A 公开(公告)日: 2017-08-01
发明(设计)人: 贾仁宝;王令 申请(专利权)人: 深圳市骏达光电股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)44325 代理人: 谭果林
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 触摸屏 制造 工艺
【说明书】:

技术领域

发明属于触摸屏领域,具体涉及触摸屏的制造工艺。

背景技术

电容触摸屏是利用人体的感应电流进行工作的,当手指触摸到屏幕上的某个点时,触摸屏的触控IC控制器需要获得该点分别在X轴方向和Y方向的电流信息,以精确计算触摸点的位置。常用的电容触摸屏,一般是采用两层结构的ITO电极,分别作为X轴方向的电极和Y轴方向的电极,所述的两层ITO电极分别沉积在两片基材上,再将两片基材用光学胶粘合,再将上层基材用光学胶与玻璃盖板粘接,这样X轴方向和Y轴方向的ITO电极分别在各自的层上工作。由于使用两层ITO导电材料、两层光学胶制作触摸屏,工艺繁琐,触摸屏的厚度高;导电用跳线线宽较大,跳线不可避免会在显示区域内显示,影响触摸屏显示效果。

如若在单层导电薄膜上设置X电极和Y电极,并用钼铝钼层作为连接断开的电极的跳线则会存在如下问题:当跳线较宽时,跳线可视而影响触摸屏使用时的视觉效果;当跳线较窄时,跳线附着力差而影响触摸屏的触摸灵敏度、使用寿命。

发明内容

本发明所要解决的一个技术问题在于提供工序少,能够高效生产轻薄化触摸屏的触摸屏的制造工艺。

为解决上述技术问题,本发明触摸屏的制造工艺采用的技术方案是:

触摸屏的制造工艺,包括:

在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极;所述X电极和所述Y电极之间相互绝缘,所述X电极沿X轴方向延伸并在X轴方向上保持连续,所述Y电极沿Y轴方向延伸并在与所述X电极交叉的区域断开;

在所述ITO薄膜上印刷多个绝缘桥;所述绝缘桥与所述Y电极的断开区域一一对应,所述绝缘桥位于所述Y电极的断开区域并连接该断开区域两侧的所述Y电极;

通过喷涂和蚀刻工艺在所述ITO薄膜上设置多条钼铝钼跳线;所述钼铝钼跳线与所述绝缘桥一一对应,所述钼铝钼跳线位于所述绝缘桥上并导通相应断开区域两侧的所述Y电极。

进一步地,所述通过喷涂和蚀刻工艺在ITO薄膜上设置多条钼铝钼跳线的步骤包括:

在所述ITO薄膜上喷涂钼铝钼层;

在所述ITO薄膜上贴合第一干膜,所述第一干膜覆盖所述钼铝钼层;

根据所述钼铝钼跳线的形状对所述第一干膜进行紫外曝光,并对紫外曝光后的所述第一干膜进行显影,发生反应的第一干膜对所述钼铝钼层进行保护;

利用钼铝钼蚀刻液蚀刻掉不受所述第一干膜保护的所述钼铝钼层;

剥离发生反应的所述第一干膜。

进一步地,在所述ITO薄膜上喷涂所述钼铝钼层的温度为22~28℃,喷涂速度为3.2~3.8m/min,喷涂压力为0.36~0.42MPa。

进一步地,在所述ITO薄膜上贴合第一干膜的温度为108~112℃,滚贴速度为2.3~2.7m/min,滚贴压力为0.33~0.37MPa。

进一步地,对所述第一干膜进行紫外曝光的紫外能量为75MJ/cm2,时间为5~7s。

进一步地,所述第一干膜显影的速度为3.8~4.2m/min。

进一步地,刻掉不受所述第一干膜保护的所述钼铝钼层的速度为3.8~4.2m/min。

进一步地,在所述ITO薄膜上印刷多个所述绝缘桥的步骤包括:

在所述ITO薄膜上印刷感光型绝缘胶层,并对所述绝缘胶层进行预烤、紫外曝光、显影和固烤。

进一步地,所述ITO薄膜上印刷感光型绝缘胶层的刮刀压力为28~32Kgf,刮刀速度为118~123mm/min,网版目数为500~550目,印刷厚度为2~3μm。

进一步地,所述ITO薄膜包括PET基材和设于所述PET基材上表面的ITO涂层;在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极的步骤为:

对所述ITO薄膜进行缩水老化处理,直至所述PET基材和所述ITO涂层完全结晶;

在所述ITO薄膜上贴合第二干膜,所述第二干膜覆盖所述ITO涂层;

根据所述X电极和所述Y电极的形状对所述第二干膜进行紫外曝光,并对紫外曝光后的所述第二干膜进行显影,发生反应的第二干膜对所述ITO涂层进行保护;

利用蚀刻液蚀刻掉不受所述第二干膜保护的所述ITO涂层;

剥离发生反应的所述第二干膜。

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