[发明专利]薄膜晶体管结构可见盲光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构可见盲光电探测器，其包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、半导体沟道层以及位于所述栅极和所述半导体沟道层之间的栅介质层，

其特征在于，还包括：

透明的互补型半导体薄膜，所述互补型半导体薄膜位于所述半导体沟道层的远离所述栅介质层一侧，所述互补型半导体薄膜适于与所述半导体沟道层形成pn结；

透明的金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜设置在所述半导体沟道层和所述互补型半导体薄膜之间；

源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别位于所述半导体沟道层表面的左右两侧，所述金属氧化物薄膜设置于所述源电极和漏电极表面。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构可见盲光电探测器，其特征在于，所述半导体沟道层的材料是铟镓锌氧化物，所述互补型半导体薄膜是p型半导体薄膜。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管结构可见盲光电探测器，其特征在于，所述互补型半导体薄膜由高分子材料制成。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管结构可见盲光电探测器，其特征在于，所述互补型半导体薄膜的厚度为30～50nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管结构可见盲光电探测器，其特征在于，所述半导体沟道层的厚度为40～60nm。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管结构可见盲光电探测器，其特征在于，所述半导体沟道层的宽长比是800um:200um。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管结构可见盲光电探测器，其特征在于，所述金属氧化物薄膜是氧化亚锡薄膜、氧化镍薄膜或氧化铝薄膜。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管结构可见盲光电探测器，其特征在于，所述金属氧化物薄膜的厚度为10nm以下。

9.一种薄膜晶体管结构可见盲光电探测器的制备方法，其包括：

形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、半导体沟道层以及位于所述栅极和所述半导体沟道层之间的栅介质层，

其特征在于，还包括：

采用旋涂法和光刻法在所述半导体沟道层的远离所述栅介质层一侧形成互补型半导体薄膜，其中，所述互补型半导体薄膜适于与所述半导体沟道层形成pn结。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，包括：

利用匀胶机在基板上旋涂光刻胶，烘烤光刻胶3～10min；

通过曝光显影在所述光刻胶上形成所述互补型半导体薄膜的图案；

利用匀胶机将半导体溶液旋涂到所述互补型半导体薄膜的图案中；

将旋涂半导体溶液后的基板在丙酮中超声清洗5～10min；

将超声清洗后的基板进行退火。