[发明专利]一种制备原子力显微镜针尖的方法有效

专利信息
申请号: 201710127121.6 申请日: 2017-02-24
公开(公告)号: CN106771376B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 金雄军;赵永建;方晓华;张向平 申请(专利权)人: 金华职业技术学院
主分类号: G01Q60/38 分类号: G01Q60/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 321017 *** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 制备 原子 显微镜 针尖 方法
【权利要求书】:

1.一种制备原子力显微镜针尖的方法,实现所述方法的装置主要包括电阻(1)、悬臂(2)、针尖(3)、样品(4)、样品与针尖之间的间隙处(5)、刺状物(6)、电流反馈系统(7)、光电反馈系统(8)、压电驱动器(9)、电源U,由电源U、电阻(1)、电流反馈系统(7)、悬臂(2)、针尖(3)、间隙处(5)和样品(4)连接组成电流反馈回路,电源U的负极连接电阻(1),正极连接样品(4),电阻(1)为20G欧姆镇流电阻,悬臂(2)与样品(4)之间连接有光电反馈系统(8),电流反馈系统(7)电连接压电驱动器(9),压电驱动器(9)连接悬臂(2),针尖(3)固定于悬臂(2)下面,样品(4)位于针尖(3)的下方,样品(4)与针尖(3)之间为间隙处(5),当针尖(3)逼近样品(4)表面停留时,开启电源U能在间隙处(5)形成一高电场,从而使得针尖(3)的前端生长出几百纳米长的刺状物(6);当电流反馈系统(7)开启时,能够探测到针尖(3)与样品(4)之间的微弱电流,并将其与预先设定的电流值比较,电流反馈系统(7)反馈信号输入压电驱动器(9),并能够控制针尖(3)与样品(4)之间的距离,针尖(3)是半导体材料或具有金属镀膜,样品(4)是导体金属镍或钴或金或铂的薄膜、半导体材料Si或GaAs,

样品(4)有第一样品和第二样品,第一样品表面具有以阵列排布的倒锥体凹陷坑,每隔100nm有一个直径为100nm,深度为30nm的凹陷坑,第二样品表面具有以阵列排布的突起,每隔20nm有一个高为20nm,直径为10nm的突起;

其特征是,包括:初次生长刺状物(6)的方法、使刺状物(6)生长得更长的方法、生长垂直于样品(4)表面的刺状物(6)的方法和检验针尖(3)是否尖锐的方法,

初次生长刺状物(6)的方法如下:选用第一样品,使用原子力显微镜轻敲模式将针尖(3)水平移动至凹陷坑上方位置,关闭光电反馈系统(8),开启电流反馈系统(7),电流设定值为1pA,接下来开启电源U,并使电源U的输出电压在2秒时间内从0增加到V1,其中20V<V1<90V,保持2秒后关闭电源U,完成初次生长刺状物(6)过程,如果在关闭电源U之前先在5秒内将输出电压值从原设定值降至0,能够使刺状物(6)与针尖(3)结合得更牢固;

使刺状物(6)生长得更长的方法如下:完成初次生长刺状物(6)过程后,使用原子力显微镜轻敲模式将针尖(3)水平移动到另一个凹陷坑上方,然后重复初次生长刺状物(6)过程,能够使刺状物(6)生长得更长;

生长垂直于样品(4)表面的刺状物(6)的方法如下:初次生长刺状物(6)过程结束后,将第一样品换成第二样品,原子力显微镜以轻敲模式工作,开启光电反馈系统(8),关闭电流反馈系统(7),再开启电源U,并使电源U的输出电压保持在10V到20V之间的一个值,然后针尖(3)开始扫描样品(4),由于针尖(3)与第二样品表面的突起有轻微接触,从而能使原先生长的方向任意性较大的刺状物(6)改变方向,并生长出垂直于样品(4)表面的符合实验要求的刺状物(6);

检验针尖(3)是否尖锐的方法如下:使用另一个表面较为平整的样品,原子力显微镜以相移模式工作,设一个初始振幅为A0,扫描距离为15nm,设定值为0.6A0,如果在平整的表面相移为负,则认为是尖锐的针尖(3),能达到实验要求;如果相移不为负,需要重复加电源U以在间隙处(5)形成一个高电场的过程,直至生长出一个垂直于样品(4)表面的符合实验要求的刺状物(6)。

2.根据权利要求1所述的一种制备原子力显微镜针尖的方法,其特征是:第二样品表面的突起若是向同一朝向倾斜,采用该第二样品进行单一方向行扫描,且使扫描的方向与该突起倾斜的朝向相对时能够取得更好效果,一行扫描结束后将针尖(3)抬离第二样品,返回到行起点进行下一行的扫描,依次重复。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金华职业技术学院,未经金华职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710127121.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top