[发明专利]电抗器器身漏磁屏蔽结构

说明书

技术领域

本发明涉及并联电抗器技术领域，尤其涉及电抗器器身漏磁屏蔽结构。

背景技术

传统交流输电受制于输送功率极限、无功电压控制、系统安全稳定等因素的制约，已经无法适应于超远距离输电。半波长输电技术作为一种点对点、超远距离、大容量输电技术方案，是支撑跨国、跨洲输电的有效途径之一，具有较强的优势。可控电抗器作为半波长输电技术中的关键设备，其稳定可靠性决定了半波长输电的有效性、稳定性和可靠性。

由于可控电抗器的漏磁通非常大，且铁心心柱与线圈之间的空道为漏磁最大区域，电抗器的漏磁通约占总磁通的40％左右。漏磁场会引起电抗器内部局部温度升高、损耗增大；当温度大于预期值时，将出现局部过热现象，加速变压器油老化，影响电抗器的正常运行。由于漏磁通的无规则性，若漏磁通不经过漏磁控制屏蔽结构的引导，而直接进入上下轭或油箱箱壁，将有可能引起铁心或油箱箱壁过热。

发明内容

针对上述问题，本发明提供电抗器器身漏磁屏蔽结构。

为解决上述问题，本发明采取的技术方案为：电抗器器身漏磁屏蔽结构，包括铁心心柱、线圈、铁心心柱上方的器身压板及其下方设置于下铁轭两侧的下夹件，所述的铁心心柱与线圈之间空道上方和下方分别设置有器身磁屏蔽Ⅰ和器身磁屏蔽Ⅱ，且器身磁屏蔽Ⅱ底部设置有铜屏蔽Ⅰ和铜屏蔽Ⅱ。

所述的器身磁屏蔽Ⅰ和器身磁屏蔽Ⅱ均为板Ⅰ和板Ⅱ拼接结构，且板Ⅰ和板Ⅱ交接处分别设置有组合后可供铁心心柱穿过的凹口Ⅰ和凹口Ⅱ。板Ⅰ和板Ⅱ拼接后，凹口Ⅰ和凹口Ⅱ组成的孔状结构可供铁心心柱穿过，器身磁屏蔽Ⅰ和器身磁屏蔽Ⅱ不仅覆盖铁心心柱与线圈之间空道上方和下方对应位置，将线圈对应位置也进行了覆盖。

所述的器身磁屏蔽Ⅰ通过螺栓设置于器身压板上侧面，器身磁屏蔽Ⅱ设置于铁心心柱下端并通过螺栓固定于下夹件上侧面。

所述的凹口Ⅰ和凹口Ⅱ两端内侧边沿呈阶梯状分布，最大限度的覆盖铁心心柱与线圈之间空道的面积。

所述的铜屏蔽Ⅰ通过螺栓设置于器身磁屏蔽Ⅱ的板Ⅰ下侧面远离板Ⅱ的一端，铜屏蔽Ⅱ通过螺栓设置于器身磁屏蔽Ⅱ的板Ⅱ下侧面远离板Ⅰ的一端。

器身磁屏蔽最大限度的覆盖铁心心柱与线圈之间空道的面积，保证大量漏磁通进入器身磁屏蔽，从而引导漏磁通进入上下轭和油箱磁屏蔽中。由于器身磁屏蔽Ⅱ距离油箱底板较近，为避免漏磁进入下节油箱引起过热，所以加装铜屏蔽进行防护，铜屏蔽可以起到反磁作用，以保证大部分漏磁通通过器身磁屏蔽引入到油箱磁屏蔽中。

本发明提供了电抗器器身漏磁屏蔽结构，保证最大限度地控制电抗器漏磁，减小损耗，避免局部过热，确保产品安全运行。

附图说明

图1为电抗器器身漏磁屏蔽结构主视图；

图2为电抗器器身漏磁屏蔽结构俯视图；

图3为器身磁屏蔽Ⅰ和器身磁屏蔽Ⅱ结构示意图；

图4为铜屏蔽Ⅰ结构示意图；

图5为铜屏蔽Ⅱ结构示意图。

其中，1、器身压板，2、铜屏蔽Ⅰ，3、下夹件，4、铜屏蔽Ⅱ，5、器身磁屏蔽Ⅱ，6、铁心心柱，7、线圈，8、器身磁屏蔽Ⅰ，9、板Ⅰ，10、凹口Ⅰ，11、凹口Ⅱ，12、板Ⅱ。

具体实施方式

如图所述，电抗器器身漏磁屏蔽结构，包括铁心心柱6、线圈7、铁心心柱6上方的器身压板1及其下方设置于下铁轭两侧的下夹件3，所述的铁心心柱6与线圈7之间空道上方和下方分别设置有器身磁屏蔽Ⅰ8和器身磁屏蔽Ⅱ5，且器身磁屏蔽Ⅱ5底部设置有铜屏蔽Ⅰ2和铜屏蔽Ⅱ4。

所述的器身磁屏蔽Ⅰ8和器身磁屏蔽Ⅱ5均为板Ⅰ9和板Ⅱ12拼接结构，且板Ⅰ9和板Ⅱ12交接处分别设置有组合后可供铁心心柱6穿过的凹口Ⅰ10和凹口Ⅱ11。

所述的器身磁屏蔽Ⅰ8通过螺栓设置于器身压板1上侧面，器身磁屏蔽Ⅱ5设置于铁心心柱6下端并通过螺栓固定于下夹件3上侧面。

所述的凹口Ⅰ10和凹口Ⅱ11两端内侧边沿呈阶梯状分布。

所述的铜屏蔽Ⅰ2通过螺栓设置于器身磁屏蔽Ⅱ5的板Ⅰ9下侧面远离板Ⅱ12的一端，铜屏蔽Ⅱ4通过螺栓设置于器身磁屏蔽Ⅱ5的板Ⅱ12下侧面远离板Ⅰ9的一端。