[发明专利]薄膜封装结构、柔性显示面板、及薄膜封装结构制作方法在审
申请号: | 201710002946.5 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN108269827A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 敖伟;刘金强;周斯然;罗志忠;闵超;刘玉成 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 孙小丁 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜封装结构 无机复合膜 有机发光二极管 柔性显示面板 交替堆叠 软膜层 硬膜层 折射率 存储寿命 柔韧性 低应力 匹配 制作 相交 破裂 覆盖 | ||
本发明提供一种薄膜封装结构,所述薄膜封装结构包括无机复合膜层,所述无机复合膜层设置于有机发光二极管的上方且用以覆盖所述有机发光二极管,所述无机复合膜层为不同折射率的无机软膜层和无机硬膜层交替堆叠设置而成。本发明还提供一种柔性显示面板和薄膜封装结构制作方法。上述薄膜封装结构,包括采用不同折射率的无机软膜层和无机硬膜层交替堆叠设置而成的无机复合膜层,无机复合膜层高、低应力相交叠而与有机发光二极管的应力相匹配,柔韧性适中,当柔性显示面板弯曲时无机复合膜层不会破裂,进而实现提升薄膜封装结构的存储寿命。
技术领域
本发明涉及柔性显示面板薄膜封装技术领域,尤其涉及一种薄膜封装结构及制作方法以及一种薄膜封装结构的柔性显示面板。
背景技术
柔性显示技术近几年飞速发展,柔性显示面板从屏幕尺寸到显示质量都取得了很大进步。无论是濒临消失的阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT),还是现今主流的液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD),本质上都属于传统的刚性显示面板。与传统的刚性显示面板相比,柔性显示面板具有诸多优点,如耐冲击,抗震能力强,重量轻,体积小,携带更加方便等。
一般来说,柔性显示面板主要包括软性基板(Flexible substrate)、缓冲层(buffer layer)、薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)、有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode,OLED)、及薄膜封装层(Thin Film Encapsulation)。其中,薄膜封装技术为其关键之一。这是因为,OLED接触水、氧后,会与其产生电化学反应,破坏组件内部电极与有机材料,造成发光区的暗点,并降低了组件效率与使用寿命。
现有的解决方法通常是采用阻水薄膜作封装,不仅阻水性较佳,且较平整化,增加OLED封装的可靠性。但是,现有的薄膜封装存在存储寿命不足缺点,虽然薄膜封装可以通过增加薄膜膜层数量来提高封装寿命,但这样不仅使薄膜的整体厚度大幅提升,同时也会使的生产成本升高,不利于量产。因此,有必要提供一种存储寿命长的薄膜封装结构。
发明内容
鉴于上述状况,有必要提供一种结构简单的薄膜封装结构,以解决现有技术中存储寿命不足的缺点。
本发明提供一种薄膜封装结构,所述薄膜封装结构包括无机复合膜层,所述无机复合膜层设置于有机发光二极管的上方且用以覆盖所述有机发光二极管,所述无机复合膜层为不同折射率的无机软膜层和无机硬膜层交替堆叠设置而成。
进一步地,所述无机软膜层和所述无机硬膜层各至少一层且交替堆叠设置。
进一步地,所述无机软膜层和所述无机硬膜层可分别采用氮化硅或氧化硅制成。
进一步地,所述无机软膜层采用折射率为1.65-1.8的氮化硅、所述无机硬膜层采用折射率为1.8-1.9的氮化硅;或者,所述无机软膜层采用折射率为1.25-1.4的氧化硅、所述无机硬膜层采用折射率为1.4-1.5的氧化硅;或者,所述无机软膜层采用折射率为1.65-1.8的氮化硅、所述无机硬膜层采用折射率为1.4-1.5的氧化硅;或者,所述无机软膜层采用折射率为1.25-1.4的氧化硅、所述无机硬膜层采用折射率为1.8-1.9的氮化硅。
进一步地,所述无机复合膜层由下而上的设置顺序为:先所述无机软膜层,再所述无机硬膜层,之后所述无机软膜层,再所述无机硬膜层,依次交替设置;或者,先所述无机硬膜层,再所述无机软膜层,之后所述无机硬膜层,再所述无机软膜层,依次交替设置。
进一步地,所述薄膜封装结构还包括有机膜层,所述有机膜层设置于所述无机软膜层和所述无机硬膜层之间或设置于所述无机复合膜层的上方。
进一步地,所述薄膜封装结构还包括阻隔膜层,所述阻隔膜层设置于所述无机复合膜层的上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的