[实用新型]具有电磁干扰遮蔽的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201620667925.6 申请日: 2016-06-29
公开(公告)号: CN206210789U 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 郑金硕;山坤书;金凯领;权样义;辛基东 申请(专利权)人: 艾马克科技公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L21/50
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司11408 代理人: 林柳岑
地址: 美国亚利桑那州85*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 电磁 干扰 遮蔽 半导体 装置
【说明书】:

技术领域

本揭露内容的某些范例实施例是有关于半导体芯片封装。更明确地说,本揭露内容的某些范例实施例是有关于一种具有一电磁干扰(EMI)遮蔽的半导体装置。

相关的申请案的交互参照

本申请案是参考到2015年11月18日申请的韩国专利申请案号10-2015-0162075、主张其优先权并且主张其益处,所述韩国专利申请案的内容是藉此以其整体被纳入在此作为参考。

背景技术

当半导体封装持续倾向小型化时,被纳入到产品中的半导体装置亦需要具有增进的功能以及缩小的尺寸。此外,为了缩减半导体装置的尺寸,所述半导体装置的面积与厚度是需要加以缩减的。

习知及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言,通过此种系统与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本揭露内容的比较将会变成是明显的。

实用新型内容

本实用新型的一态样为一种具有一电磁干扰(EMI)遮蔽的半导体装置,其包括:基板,其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;半导体晶粒,其是耦合至所述基板的所述第一表面;囊封材料,其囊封所述半导体晶粒以及所述基板的所述第一表面的部分;以及电磁干扰遮蔽层,其是在所述囊封材料以及所述基板的在所述第一及第二表面之间的侧表面上。

所述的半导体装置包括在所述基板的所述第二表面上的接点。

在所述的半导体装置中,所述接点包括导电凸块。

在所述的半导体装置中,所述接点包括导电的焊盘。

在所述的半导体装置中,所述电磁干扰遮蔽层包括以下的一或多种:银、铜、铝、镍、钯、及/或铬。

在所述的半导体装置中,所述电磁干扰遮蔽层是耦合至所述基板的一接地电路图案。

本实用新型的另一态样为一种半导体装置,其包括:基板,其包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;半导体晶粒,其是耦合至所述基板的所述第一表面;囊封材料,其囊封所述半导体晶粒以及所述基板的所述第一表面的部分;以及电磁干扰遮蔽层,其是在所述囊封材料以及所述基板的在所述第一及第二表面之间的侧表面上,其中所述电磁干扰遮蔽层是耦合至所述基板的接地电路图案且覆盖所述基板的侧表面的至少部分。

在所述的半导体装置中,所述电磁干扰遮蔽层是在所述基板的所述第二表面处被切割。

在所述的半导体装置中,所述电磁干扰遮蔽层完全覆盖所述基板的所述侧表面。

在所述的半导体装置中,所述电磁干扰遮蔽层是耦合至在所述基板的所述侧表面处的接地电路图案。

所述的半导体装置包括在所述基板的所述第二表面上的接点。

在所述的半导体装置中,所述接点包括导电凸块。

在所述的半导体装置中,所述接点包括导电的焊盘。

在所述的半导体装置中,所述电磁干扰遮蔽层包括以下的一或多种:银、铜、铝、镍、钯、及/或铬。

本揭露内容的各种优点、特点以及新颖的特征、以及各种支持实施例的所描绘的例子的细节从以下的说明及图式将会更完整地了解。

附图说明

图1A及1B是描绘根据本揭露内容的实施例的半导体装置的横截面图。

图2A至2E是依序地描绘根据本揭露内容的一实施例的一种制造一半导体装置的方法的横截面图。

图3A至3D是依序地描绘根据本揭露内容的另一实施例的一种制造一半导体装置的方法的横截面图。

具体实施方式

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