[实用新型]降低HID电磁干扰的电路结构有效

专利信息
申请号: 201620071054.1 申请日: 2016-01-25
公开(公告)号: CN205319937U 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 邱明;蒋乙明;李勇 申请(专利权)人: 苏州市纽克斯照明有限公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44;H05K1/02
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 215143 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 降低 hid 电磁 干扰 电路 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种电路结构,尤其涉及一种降低HID电磁干扰的电路 结构。

背景技术

随着电气、电子设备的大量应用,电磁波无处不在,无时不有,它们对 于电子设备而言都是潜在的干扰源。一些电器、电子设备工作时所产生的电 磁波,容易对周围的其他电气、电子设备形成电磁干扰,引发故障或者影响 信号的传输。另外,过度的电磁干扰会形成电磁污染,危害人们的身体健康, 破坏生态平衡。

因此,针对上述问题,有必要提出进一步的解决方案。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种降低HID电磁干扰的电路结构,以克服现 有技术中存在的不足。

为实现上述实用新型目的,本实用新型的提供一种降低HID电磁干扰的电 路结构,其包括电性连接的:EMC滤波电路、PFC电路、DC/AC变换电路以及 LC谐振电路;

所述EMC滤波电路位于所述PFC电路的上游;

所述PFC电路位于所述DC/AC变换电路的上游,所述PFC电路上设置有 第一覆铜区域,所述第一覆铜区域覆盖所述PFC电路中高频开关特性区域;

所述DC/AC变换电路位于所述LC谐振电路的上游,所述DC/AC变换电路 上设置有第二覆铜区域,所述第二覆铜区域覆盖所述DC/AC变换电路中高频开 关特性区域;

所述LC谐振电路上设置有第三覆铜区域,所述第三覆铜区域覆盖所述LC 谐振电路中高频开关特性区域。

作为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路结构的改进,所述EMC滤波 电路包括EMC滤波器。

作为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路结构的改进,所述第一覆铜区 域覆盖所述PFC电路中PFC电感、快恢复二极管、两个MOS的高频开关特性 区域。

作为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路结构的改进,所述PFC电路还 包括PFC控制器。

作为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路结构的改进,所述PFC控制器 的型号为UCC28061。

作为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路结构的改进,所述DC/AC变换 电路包括DC/AC变换器。

作为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路结构的改进,所述DC/AC变换 器可输出20KHZ-200KHZ的高频交流电源。

作为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路结构的改进,所述LC谐振电 路包括电容器和高频电感。

作为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路结构的改进,所述第一覆铜区 域、第二覆铜区域、第三覆铜区域接地设置。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型的降低HID电磁 干扰的电路结构通过覆铜改变了电路的空间电磁场走向,使得交变的场穿透相 应PCB折射到机壳上面影响减小。从而,减小了通过外壳串扰到输入端,减小 电磁干扰。另外实用新型人惊奇地发现,本实用新型的降低HID电磁干扰的电 路结构使得电感的电流由谐波很大变为谐波很小。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将 对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地, 下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例,对于本领域普通 技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其 他的附图。

图1为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路结构的工作原理示意图;

图2为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路中PFC电路的电路图;

图3为利用频谱分析仪对覆铜前的电流谐波进行测试,得到的电流谐波 图;

图4为利用频谱分析仪对覆铜后的电流谐波进行测试,得到的电流谐波 图;

图5为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路中DC/AC变换电路的电 路图;

图6为本实用新型的降低HID电磁干扰的电路中LC谐振电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细说明,但应当说明 的是,这些实施方式并非对本实用新型的限制,本领域普通技术人员根据这些 实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代,均属于本实用新 型的保护范围之内。

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