[发明专利]一种高阶温度补偿的低温漂基准源电路

权利要求书

1.一种高阶温度补偿的低温漂基准源电路，其特征在于，所述低温漂基准源电路包括：

带隙电压产生核心电路1、负温度系数电流产生电路2、补偿电流产生电路3、启动电路4，补偿电流产生电路3中设有分段电流选择电路5，其中，带隙电压产生核心电路1与负温度系数电流产生电路2、补偿电流产生电路3和启动电路4均相连，补偿电流产生电路3与负温度系数电流产生电路2和带隙电压产生核心电路1均相连；带隙电压产生核心电路1用于产生一阶带隙基准电压并与高阶补偿电压相加，产生带隙电压，带隙电压产生核心电路1同时为补偿电流产生电路3提供正温度系数电流和正温度系数参考电压；负温度系数电流产生电路2用于产生负温度系数电流，负温度系数电流产生电路2同时为补偿电流产生电路3提供负温度系数参考电压；补偿电流产生电路3用于产生补偿电流，补偿电流流经带隙电压产生核心电路1中的电阻，产生高阶补偿电压；启动电路4用于使电路进入正常工作状态；分段电流选择电路5用于根据不同温度选择正温度系数电流或负温度系数电流，产生V型补偿电流。

2.根据权利要求1所述的高阶温度补偿的低温漂基准源电路，其特征在于，带隙电压产生核心电路1包括：PMOS管MP1、MP2、MP6、MP7、MP12，NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6，三极管Q1、Q2，电阻R1、R2、R3；其中：

MP1、MP2、MP3的源极与电源相连，MP1、MP2、MP3的栅极与MP6的漏极相连，MP2漏极与MP7源极相连，MP1漏极与MP6源极相连，MP7、MP6、MP12的栅极接到一起并连接到MP12的漏极以及MN6的漏极；MP12的源极与电源相连；MP1栅极、MP2栅极、MP3栅极相连；MP6与MP1串联，MP7与MP2串联；MN1、MN2、MN3的栅极接到一起并与MN2的漏极相连，MN2的源极接到三极管Q1的集电极，MN1的漏极接到三极管Q2的集电极；MN3的源极接到一阶带隙基准电压V_ref并接到Q1和Q2的基极，以及MN5的漏极；三极管Q1的发射极接到R1的负端，三极管Q2的发射极接到R1的正端；R2的正端接到Q1的发射极与R1的负端，R3的正端与R2的负端相连，并接到温度补偿电流输出ICOMP，R3的负端接到地；MN4、MN5、MN6的源极接地，MN4、MN5、MN6的栅极接到一起并接到MN4的漏极形成镜像电流源。

3.根据权利要求2所述的高阶温度补偿的低温漂基准源电路，其特征在于，负温度系数电流产生电路2包括：PMOS管MP5、MP8、MP9、MP13，三极管Q3、Q4，电阻R4、R5；其中：

MP5的源极与电源相连，MP5的栅极与MP1的栅极相连；MP5的漏极与MP8的源极相连；MP8的漏极与三极管Q4的基极、三极管Q3的集电极均相连；MP8、MP9的栅极均与MP12的栅极相连；MP8与MP5串联；MP13的源极与接地，MP13的漏极与MP9的源极相连，MP13的栅极与MP9的漏极相连；三极管Q3的发射极与接地，三极管Q3的基极与三极管Q4的源极、R5的正端均连接；R5的负端与R4的正端相连，R4的负端接地。

4.根据权利要求3所述的高阶温度补偿的低温漂基准源电路，其特征在于，补偿电流产生电路3包括：PMOS管MP4、MP14、MP10、MP11和分段电流选择电路5，其中：

MP4源极与电源连接，MP4栅极接到MP1栅极，MP4漏极接到MP10源极；MP14源极与电源连接，MP14栅极与MP13栅极连接，MP14漏极与MP11源极连接；MP10、MP11栅极均与MP12栅极连接；MP10和MP11的漏极分别接到分段电流选择电路5的正温度系数电流输入端IPTAT和负温度系数电流输入端INTAT；分段电流选择电路5的正温度系数电压输入端VPTAT接到R2的正端，负温度系数电压输入端VNTAT接到R4的正端；分段电流选择电路5的补偿电流输出ICOMP接到R3的正端。

5.根据权利要求4所述的高阶温度补偿的低温漂基准源电路，其特征在于，启动电路包括：PMOS管MP15，NMOS管MN7、MN8；MP15源极与电源连接，MP15栅极和漏极接一起后与MN8栅极和MN7漏极均连接；MN8漏极接电源，MN8源极与MN1栅极、MN2栅极、MN3栅极均连接；MN7源极接地，MN7栅极接到MN4栅极。