[发明专利]一种自启动电路及启动方法有效

申请号：	201611190629.2	申请日：	2016-12-21
公开（公告）号：	CN108227802B	公开（公告）日：	2020-01-31
发明（设计）人：	靳佳伟	申请（专利权）人：	电信科学技术研究院
主分类号：	G05F1/56	分类号：	G05F1/56
代理公司：	11243 北京银龙知识产权代理有限公司	代理人：	许静;刘伟
地址：	100191***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	低压降线性调节器带隙基准电路自启动电路输出电压逻辑模块启动电路基准电压阈值时翻转
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【权利要求书】：

1.一种自启动电路，其特征在于，包括：启动电路、低压降线性调节器、带隙基准电路和逻辑模块，其中，所述启动电路控制所述低压降线性调节器产生输出电压VDD_L给所述带隙基准电路，所述带隙基准电路根据所述输出电压VDD_L产生所述低压降线性调节器所需的基准电压V_ref，当所述输出电压VDD_L达到所述逻辑模块的翻转阈值时，所述逻辑模块由第一工作状态转为相反的第二工作状态，并控制所述启动电路关闭，使所述低压降线性调节器和带隙基准电路具有稳定的所述输出电压VDD_L和基准电压V_ref；

所述启动电路包括：

第一MOS管(MP₀)、第二MOS管(MN₀)、第三MOS管(MN₁)、第四MOS管(MN₂)、第五MOS管(MN₃)、第六MOS管(MP₁)、第七MOS管(MP₂)和第八MOS管(MP₃)；

其中，所述第一MOS管(MP₀)的源极接电源电压VDD_H，所述第一MOS管(MP₀)的栅极接所述逻辑模块的输出端，所述第一MOS管(MP₀)的漏极分别与所述第二MOS管(MN₀)的栅极和漏极以及所述第三MOS管(MN₁)的栅极连接；

所述第二MOS管(MN₀)的栅极与所述第三MOS管(MN₁)的栅极连接；

所述第三MOS管(MN₁)的漏极和第四MOS管(MN₂)的漏极均与第六MOS管(MP₁)的漏极和栅极以及第七MOS管(MP₂)的栅极连接；

所述第四MOS管(MN₂)的栅极以及所述第五MOS管(MN₃)的栅极和漏极分别与所述带隙基准电路电流输出端连接；

所述第二MOS管(MN₀)的源极、所述第三MOS管(MN₁)的源极、第四MOS管(MN₂)的源极和第五MOS管(MN₃)的源极均接地；

所述第七MOS管(MP₂)的漏极与所述低压降线性调节器的基准电压输入端连接；

所述第八MOS管(MP₃)的漏极与所述低压降线性调节器的电流输入端连接，所述第八MOS管(MP₃)的栅极接所述第七MOS管(MP₂)的栅极；

所述第六MOS管(MP₁)的源极、第七MOS管(MP₂)的源极和第八MOS管(MP₃)的源极分别接电源电压VDD_H。

2.根据权利要求1所述的自启动电路，其特征在于，

所述启动电路产生启动电压和启动电流供所述低压降线性调节器使用，使所述低压降线性调节器产生出一个输出电压VDD_L供所述带隙基准电路使用；当所述输出电压VDD_L达到所述逻辑模块的翻转阈值时，所述输出电压VDD_L通过所述逻辑模块将所述启动电路关闭。