[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 201611190103.4 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106711297B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李红丽;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 垒层 载气 应力释放层 混合气体 超晶格 外延片 阱层 半导体技术领域 未掺杂GaN层 多量子阱层 抗静电能力 测试条件 交替层叠 外延生长 缓冲层 衬底 芯片 | ||
1.一种GaN基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
在衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层；
其中，所述应力释放层包括依次生长的第一GaN垒层、由交替层叠的InGaN层和GaN层组成的超晶格阱层、第二GaN垒层，所述第一GaN垒层生长采用的载气为纯净的N2或者H2和N2的混合气体，所述超晶格阱层生长采用的载气为纯净的N2，所述第二GaN垒层生长采用的载气为H2和N2的混合气体；所述第一GaN垒层生长采用的H2和N2的混合气体中，H2和N2的流量比为1:4～1:10；所述第二GaN垒层生长采用的H2和N2的混合气体中，H2和N2的流量比为1:4～1:7。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第二GaN垒层的厚度大于所述第一GaN垒层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第二GaN垒层的厚度为800～1600nm。
4.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第一GaN垒层、所述超晶格阱层、所述第二GaN垒层中均掺有Si。
5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述超晶格阱层中Si的掺杂浓度为所述第一GaN垒层中Si的掺杂浓度的1/10。
6.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述第二GaN垒层中Si的掺杂浓度大于所述超晶格阱层中Si的掺杂浓度。
7.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述第二GaN垒层中Si的掺杂浓度与所述第一GaN垒层中Si的掺杂浓度不同。
8.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述应力释放层的生长温度为900～1050℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611190103.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
