[发明专利]一种太阳能电池组件及其制备方法在审
申请号: | 201611185606.2 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN108231936A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 兰立广;童翔;丁建 | 申请(专利权)人: | 北京汉能创昱科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张杰 |
地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池单元 电气连接 太阳能电池组件 触点 主栅 金属电极层 电极栅线 互连电极 互联 隔离槽 光电转换层 传统的 反射层 纵横交错 搭接 副栅 制备 串联 电池 分割 贯穿 | ||
1.一种太阳能电池组件,包括依次堆叠设置的支撑层(10)、粘结层(9)、金属电极层(8)和光电转换层(21),其特征在于,
所述太阳能电池组件设置有纵横交错的隔离槽,所述隔离槽贯穿所述金属电极层(8)和光电转换层(21),所述隔离槽将所述太阳能电池组件分割为若干太阳能电池单元;所述太阳能电池单元之间通过互连电极实现电气连接。
2.根据权利要求1所述太阳能电池组件,其特征在于,
所述互连电极包括:
电极栅线结构和互联触点(17),所述电极栅线结构包括主栅(14)和与主栅(14)电气连接的副栅(15),所述互联触点(17)与所述金属电极层(8)电气连接,太阳能电池单元的所述主栅(14)和与其相邻的太阳能电池单元的所述互联触点(17)电气连接,实现太阳能电池单元的串联连接。
3.根据权利要求2所述太阳能电池组件,其特征在于,每个所述太阳能电池单元设有贯穿光电转换层(21)的电池互联槽口(16),所述电池互联槽口(16)使所述金属电极层(8)暴露,所述互联触点位于所述电池互联槽口(16)内,并与所述电池互联槽口(16)的内壁绝缘。
4.根据权利要求2所述太阳能电池组件,其特征在于,
所述隔离槽包括若干X方向隔离槽(12)和若干Y方向隔离槽(13),所述X方向隔离槽(12)设置有绝缘材料(11);
所述主栅(14)设置在位于X方向隔离槽(12)内的绝缘材料(11)的上方。
5.根据权利要求4所述太阳能电池组件,其特征在于,每个所述太阳能电池单元的所述电池互联槽口(16)靠近所述X方向隔离槽(12)设置,所述副栅(15)平行于Y方向隔离槽(13)设置。
6.根据权利要求5所述太阳能电池组件,其特征在于,
所述电池互联槽口(16)内壁与所述互联触点(17)之间设置有绝缘材料(11)。
7.根据权利要求2-6所述太阳能电池组件,其特征在于,
所述太阳能电池组件两端部分别设置有引出电极,所述引出电极包括第一引出电极(19)和第二引出电极(20),所述第一引出电极(19)与端部太阳能电池单元的金属电极层(8)电气连接,所述第二引出电极(20)与另一端部太阳能电池单元的主栅(14)电气连接。
8.一种制备太阳能电池组件的方法,其特征在于,包括下述步骤:
S1、制备太阳能电池单元
S11、在基底(1)上依次制备牺牲层(3)和光电转换层(21);
S12、在光电转换层(21)上采用掩膜法沉积金属电极层(8),所述金属电极层(8)被X方向第一隔离槽、Y方向第一隔离槽分割成若干区域;
S13、采用层压工艺在所述金属电极层(8)的上方粘结支撑层(10);并去除牺牲层(3)以剥离基底(1);
S14、在所述X方向第一隔离槽和所述Y方向第一隔离槽对应的位置刻蚀所述光电转换层(21),分别形成X方向隔离槽(13)和Y方向隔离槽(14);同时在靠近X方向隔离槽处刻蚀部分所述光电转换层(21)形成电池互联槽口(16),使所述金属电极层(8)暴露;
S2、电池单元之间的绝缘
在X方向隔离槽(12)中填充绝缘材料(11),实现电池单元之间的绝缘;
S3、电池单元互联:
S31、在所述光电转换层(21)远离所述金属电极层(8)的一侧制作主栅(14)、副栅(15)和互联触点(17);所述副栅(15)与所述互联触点(17)分别位于所述主栅(14)的两侧,并分别与所述主栅(14)电气连接;所述互联触点(17)位于所述电池互联槽口(16)内,与所述金属电极层(8)电气连接,并与所述互联槽口(16)内壁绝缘,使得所述电池单元的主栅(14)与相邻所述电池单元的金属电极层(8)通过所述互联触点(17)电气连接;
S4、封装即得太阳能电池组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的