[发明专利]预测介质涂敷目标上天线间电磁耦合度的方法与系统有效
申请号: | 201611184989.1 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN106777704B | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 陈爱新;张梦;张哲 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王庆龙 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 预测 介质 目标 天线 电磁 耦合度 方法 系统 | ||
1.预测介质涂敷目标上天线间电磁耦合度的方法,其特征在于,包括:
S1,利用电磁波一致性几何绕射方法分解天线总场,获得绕射场和所述介质产生的表面波场,并获取所述介质的电磁波反射特性;
S2,基于所述绕射场、所述表面波场及所述介质的电磁波反射特性,利用天线端口网络模型获取二端口间的电磁波散射系数,以预测所述介质涂敷目标上天线间的电磁耦合度;S2进一步包括:
S2.1,利用微波网络散射矩阵建立天线端口网络模型,获取接收端口匹配负载时的二端口网络模型;
S2.2,基于所述绕射场和所述表面波场,根据二端口网络的耦合度表征方法,获取所述电磁波散射系数与所述介质的电磁波反射特性的定量表示。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,S1进一步包括:
S1.1,将天线总场分解为直射场,反射场,绕射场及所述介质产生的表面波场,屏蔽所述直射场和所述反射场,获得所述绕射场及所述表面波场;
S1.2,利用电磁模型获取所述介质的介电损耗参数和磁能损耗参数,获取所述介质的电磁波反射特性参数。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,S1.2进一步包括:
S1.2.1,获取所述介质在外加交变电场下的介电损耗参数;
S1.2.2,获取所述介质在外加交变磁场下的磁能损耗参数;
S1.2.3,根据所述介电损耗参数和所述磁能损耗参数,获取所述介质的电磁波反射特性参数,包括反射系数Г和透射系数T。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述介电损耗参数为复介电常数中的虚部ε,如下:
其中,ε'为复介电常数中的实部,ε为复介电常数中的虚部,Dm为介质中的电位移矢量的振幅,Em为外加交变电场的振幅,δe为电位移矢量落后于外加交变电场的相位角,ε0为空气的介电常数。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述磁能损耗参数为复磁导率中的虚部μ,如下:
其中,μ'为复磁导率中的实部,μ为复磁导率中的虚部,Bm为介质中的磁感应强度的振幅,Hm为外加交变磁场的振幅,δm为磁感应强度落后于外加交变磁场的相位角,μ0为空气的磁导率。
6.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述反射系数Г、所述透射系数T、所述介电损耗参数ε及所述磁能损耗参数μ的关系如下:
其中,μr=μ′+μ″,εr=ε′+ε″,μ'为复磁导率中的实部,μ为复磁导率中的虚部,ε'为复介电常数中的实部,ε为复介电常数中的虚部;c为真空中传播速度3.0*108,ω为电磁波的角频率,L为材料厚度。
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