[发明专利]一种用于硅光调制器自动偏压控制的电压处理方法及其装置

权利要求书

1.一种用于硅光调制器自动偏压控制的电压处理方法，所述硅光调制器包括闭环反馈控制电路，所述闭环反馈控制电路根据硅光调制器的输出光信号产生反馈控制电压，并在所述反馈控制电压上叠加扰动电压后形成待加载到硅光调制器偏置电极上的偏置电压，其特征在于：将待加载到硅光调制器偏置电极上的初始偏置电压数值采用开方运算的补偿运算，以获得实际加载偏置电压，将所述实际加载偏置电压加载到硅光调制器偏置电极上进行自动偏压控制，以使得所述硅光调制器的输出光信号相位与所述初始偏置电压数值呈线性关系变化。

2.根据权利要求1所述的一种用于硅光调制器自动偏压控制的电压处理方法，其特征在于：所述扰动电压为交流扰动电压，所述交流扰动电压不超过所述反馈控制电压的半波电压的10％。

3.根据权利要求2所述的一种用于硅光调制器自动偏压控制的电压处理方法，其特征在于：计算半波电压之前，确定偏置电压的安全范围，其方法是：根据硅光调制器能加载的直流偏置电压范围，对其数值进行平方，得到初始电压的范围值，将该范围值确定为偏置电压的安全范围。

4.根据权利要求3所述的一种用于硅光调制器自动偏压控制的电压处理方法，其特征在于：确定半波电压的方法为：将初始电压开方后加载在硅光调制器的偏置电极上，测量“光功率-初始电压”变化曲线，半波电压为“光功率-初始电压”曲线上从最大值到相邻最小值所跨越的电压范围值。

5.根据权利要求4所述的一种用于硅光调制器自动偏压控制的电压处理方法，其特征在于：所述硅光调制器的偏置电压能承受电压范围为0～3000mV，将初始电压数值化后范围为0～9×10⁶；则将所述硅光调制器的半波电压设置为4×10⁵；交流扰动电压的幅度为2×10⁴。

6.根据权利要求1—4中任一项所述的一种用于硅光调制器自动偏压控制的电压处理方法，其特征在于：所述扰动电压采用正弦波或者方波。

7.根据权利要求1—4中任一项所述的一种用于硅光调制器自动偏压控制的电压处理方法，其特征在于：所述硅光调制器为单MZ-BPSK硅光调制器。

8.一种用于硅光调制器自动偏压控制的装置，其特征在于包括：可调谐激光器(1)、高速码型发生器(5)、射频放大器(4)、背光探测器(6)、自动偏压控制电路(7)、控制平台(9)；其中，

可调谐激光器(1)发出的光进入所述硅光调制器；

高速码型发生器(5)发出NRZ码型，经过射频放大器(4)，加载在所述硅光调制器(2)上，所述硅光调制器(2)输出的BPSK调制光信号按一定比例分光到背光探测器(6)；背光探测器(6)产生的电信号进入自动偏压控制电路(7)提取相关的信息，反馈给控制平台(9)；

控制平台(9)通过检测到的反馈，由控制平台(9)上的处理器(8)中对电压信号的直流分量偏压与交流扰动电压进行叠加，获得叠加后的数值，经过开方算法运算，由控制平台(9)上的电压输出电路(10)将处理后的电压加载到所述硅光调制器的偏置电极上。