[发明专利]布洛芬立方液晶前体溶液、立方液晶纳米粒及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611179608.0 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN106692057A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 吴传斌;梅丽玲;潘昕;黄莹;陈锦填;典灵辉;陈航平 申请(专利权)人: 广州中大南沙科技创新产业园有限公司;中山大学
主分类号: A61K9/127 分类号: A61K9/127;A61K47/10;A61K31/192;A61P29/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 曾银凤,万志香
地址: 511485 广东省广州市南沙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 布洛芬 立方 液晶 溶液 纳米 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及药物制剂领域,特别是涉及一种布洛芬立方液晶前体溶液、立方液晶纳米粒及其制备方法。

背景技术

布洛芬(ibuprofen,IBU)是一种非甾体类抗炎药物,具有很好的解热镇痛及抗炎效果。用于缓解轻至中度疼痛如头痛、关节痛、偏头痛、牙痛、肌肉痛、神经痛、痛经。也用于普通感冒或流行性感冒引起的发热。

布洛芬属于生物药剂学分类系统的Ⅱ类药物,溶解度低、渗透性高。药物的溶出是其吸收的限速阶段,严重影响了药物的口服生物利用度。此外,布洛芬生物半衰期短(~1.8h),为保持有效的治疗浓度,患者需频繁大量服药,这会对胃肠道有一定的刺激性。溶解度差和半衰期短严重地限制了布洛芬的临床应用。因此,有必要研发新的给药剂型克服布洛芬在口服吸收过程中溶解度差的问题,以提高布洛芬口服的生物利用度。

发明内容

基于此,本发明提供了一种布洛芬立方液晶前体溶液,用于制备用于口服的布洛芬立方液晶纳米粒,以克服布洛芬口服给药过程中溶解度低,体内半衰期短的缺点,以提高布洛芬口服的生物利用度。

具体技术方案如下:

一种布洛芬立方液晶前体溶液,主要由布洛芬、液晶材料和稳定剂制备而成,所述布洛芬、液晶材料和稳定剂的质量比为0.01-2:10:0.5-2.5;所述液晶材料为植烷三醇;所述稳定剂选自脂肪酸甘油酯、多元醇型非离子表面活性剂、聚氧乙烯型非离子表面活性剂、泊洛沙姆和卵磷脂中的至少一种。

在其中一些实施例中,所述布洛芬、液晶材料和稳定剂的质量比为0.4-1.6:10:0.8-2。

在其中一些实施例中,所述稳定剂选自泊洛沙姆。

在其中一些实施例中,所述泊洛沙姆选自泊洛沙姆407、泊洛萨姆188、泊洛萨姆338中的至少一种。

在其中一些实施例中,所述布洛芬立方液晶前体溶液,主要由布洛芬、植烷三醇和泊洛沙姆407制备而成,所述布洛芬、植烷三醇和泊洛沙姆407的质量比为1-1.4:10:0.8-1.2。

本发明还提供了上述布洛芬立方液晶前体溶液的制备方法。

具体技术方案如下:

一种上述的布洛芬立方液晶前体溶液的制备方法,包括以下步骤:将布洛芬、稳定剂和植烷三醇于40-70℃加热熔融,涡旋,充分混合均匀,室温下静置,即得所述布洛芬立方液晶前体溶液。

本发明还提供了上述布洛芬立方液晶前体溶液的应用。

具体技术方案如下:

上述的布洛芬立方液晶前体溶液在制备布洛芬立方液晶纳米粒中的应用。

本发明还提供了一种布洛芬立方液晶纳米粒,可显著提高布洛芬口服的生物利用度。

具体技术方案如下:

一种布洛芬立方液晶纳米粒,主要由上述的布洛芬立方液晶前体溶液分散在水中制备而成。

本发明还提供了上述布洛芬立方液晶纳米粒的制备方法。

具体技术方案如下:

一种上述的布洛芬立方液晶纳米粒的制备方法,包括以下步骤:

在布洛芬立方液晶前体溶液中加水,用超声波粉碎仪进行超声分散,得布洛芬立方液晶粗分散溶液;

将布洛芬立方液晶粗分散溶液进行高压均质,均质压力为600-1500bar,循环次数为3-13次,即得布洛芬立方液晶纳米粒溶液。

在其中一些实施例中,所述均质压力为1100-1300bar,循环次数为8-10次。

在其中一些实施例中,所述水的加入量为布洛芬立方液晶前体溶液总重量的20-50倍。

在其中一些实施例中,所述超声分散的条件为:分散时间为10-15min,功率为150-400w,工作时间为4-6s,间断时间为8-12s。

在其中一些实施例中,所述布洛芬立方液晶纳米粒的制备方法还包括以下步骤:在所述布洛芬立方液晶纳米粒溶液中加入冻干保护剂,充分溶解后,进行冷冻干燥,即得布洛芬立方液晶纳米粒的冻干粉末。

在其中一些实施例中,所述冻干保护剂的加入量与立方液晶纳米粒溶液的质量体积比为:0.04-0.06g:1mL。

在其中一些实施例中,所述冻干保护剂选自甘露醇、蔗糖、葡糖糖或乳糖。

在其中一些实施例中,所述冷冻干燥包括:先于-18~-22℃的冰箱中预冻10-14h,再于冷冻干燥机中冻干22-26h,冷冻干燥机的条件为:-48~52℃冷阱温度,真空度为0.08-0.12Mbar。

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