[发明专利]一种半透过半反射防刮花镜面玻璃及制备工艺

权利要求书

1.一种半透过半反射防刮花镜面玻璃，其特征在于，包括有玻璃基板(1)，所述玻璃基板(1)的表面由下至上依次镀制有第一氧化铌层(2)、第一二氧化硅层(3)、第二氧化铌层(4)、第二二氧化硅层(5)、第三氧化铌层(6)和氮化碳层(7)。

2.如权利要求1所述的半透过半反射防刮花镜面玻璃，其特征在于，所述第一氧化铌层(2)的厚度为20nm～22nm，所述第二氧化铌层(4)的厚度为70nm～74nm，所述第三氧化铌层(6)的厚度为56nm～60nm。

3.如权利要求1所述的半透过半反射防刮花镜面玻璃，其特征在于，所述第一二氧化硅层(3)的厚度为23nm～27nm，所述第二二氧化硅层(5)的厚度为79nm～84nm。

4.如权利要求1所述的半透过半反射防刮花镜面玻璃，其特征在于，所述氮化碳层(7)的厚度为8nm～12nm。

5.如权利要求1至4任一项所述的半透过半反射防刮花镜面玻璃制备工艺，其特征在于，包括有如下步骤：

步骤S1，准备玻璃基板(1)；

步骤S2，在玻璃基板(1)的表面镀制第一氧化铌层(2)；

步骤S3，在第一氧化铌层(2)的表面镀制第一二氧化硅层(3)；

步骤S4，在第一二氧化硅层(3)的表面镀制第二氧化铌层(4)；

步骤S5，在第二氧化铌层(4)的表面镀制第二二氧化硅层(5)；

步骤S6，在第二二氧化硅层(5)的表面镀制第三氧化铌层(6)；

步骤S7，在第三氧化铌层(6)的表面镀制氮化碳层(7)。

6.如权利要求5所述的半透过半反射防刮花镜面玻璃制备工艺，其特征在于，所述步骤S2至步骤S7均采用磁控溅射设备镀制第一氧化铌层(2)、第一二氧化硅层(3)、第二氧化铌层(4)、第二二氧化硅层(5)、第三氧化铌层(6)和氮化碳层(7)。

7.如权利要求6所述的半透过半反射防刮花镜面玻璃制备工艺，其特征在于，所述磁控溅射设备为立式多箱体连续磁控反应溅射镀膜线，所述磁控溅射设备根据镀膜传送方向，按各膜层排列顺序依次布置靶位，根据对应膜层的厚度范围计算并配置使用阴极靶的数量，组成连续的镀膜阴极箱体，通过传送玻璃基板，使得玻璃基板逐一通过各靶位而完成各膜层的镀膜加工。

8.如权利要求7所述的半透过半反射防刮花镜面玻璃制备工艺，其特征在于，镀制第三氧化铌层(6)的靶位与镀制氮化碳层(7)的靶位之间形成有氧气隔离墙。

9.如权利要求8所述的半透过半反射防刮花镜面玻璃制备工艺，其特征在于，利用分子泵驱使氧气流动而形成所述氧气隔离墙。

10.如权利要求5所述的半透过半反射防刮花镜面玻璃制备工艺，其特征在于，所述第一氧化铌层(2)的厚度为20nm～22nm，所述第二氧化铌层(4)的厚度为70nm～74nm，所述第三氧化铌层(6)的厚度为56nm～60nm，所述第一二氧化硅层(3)的厚度为23nm～27nm，所述第二二氧化硅层(5)的厚度为79nm～84nm，所述氮化碳层(7)的厚度为8nm～12nm。